走査電子顕微鏡×一般財団法人材料科学技術振興財団 MST - メーカー・企業と製品の一覧

【分析事例】SEMとSIMによるCu表面の二次電子像の比較

着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です

走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：SEM）及び走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope：SIM）は、どちらも二次電子像を得ることで試料表面近傍の構造評価を行う手法です。一次プローブの違いによってコントラストの現れ方や空間分解能などの違いがあり、着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です。本資料では2手法の比較をまとめるとともに、測定例としてCu表面を観察した事例をご紹介します。

企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
価格：応相談

受託解析
メモリ

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［SEM］走査電子顕微鏡法

高倍率観察(30万倍程度まで)が可能

SEMは、電子線を試料に当てた際に試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができる手法です。・簡単な操作で高倍率観察(50万倍程度まで)が可能・二次電子（Secondary Electron;SE）像、反射電子（BackScattered Electron;BSE）像、透過電子（Transmitted Electron;TE）像の観察が可能・加速電圧0.1～30kVの範囲で観察が可能・最大6インチまで装置に搬入可能（装置による）・SEMにオプションを組み合わせることにより、様々な情報を得ることが可能　EDX検出器による元素分析が可能　電子線誘起電流（EBIC）を測定し、半導体の接合位置・形状を評価　電子後方散乱回折（EBSD)法により、結晶情報を取得可能　FIB加工とSEM観察の繰り返しにより、立体的な構造情報を取得可能（Slice & View）　冷却観察・雰囲気制御観察