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走査電子顕微鏡(形状測定) - メーカー・企業と製品の一覧

走査電子顕微鏡の製品一覧

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[SEM]走査電子顕微鏡法

高倍率観察(30万倍程度まで)が可能

SEMは、電子線を試料に当てた際に試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができる手法です。 ・簡単な操作で高倍率観察(50万倍程度まで)が可能 ・二次電子(Secondary Electron;SE)像、反射電子(BackScattered Electron;BSE)像、透過電子(Transmitted Electron;TE)像の観察が可能 ・加速電圧0.1~30kVの範囲で観察が可能 ・最大6インチまで装置に搬入可能(装置による) ・SEMにオプションを組み合わせることにより、様々な情報を得ることが可能  EDX検出器による元素分析が可能  電子線誘起電流(EBIC)を測定し、半導体の接合位置・形状を評価  電子後方散乱回折(EBSD)法により、結晶情報を取得可能  FIB加工とSEM観察の繰り返しにより、立体的な構造情報を取得可能(Slice & View)  冷却観察・雰囲気制御観察

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【分析事例】Xe-PFIBを用いた広域断面のSEM観察

数十nmオーダーの狙い精度で数百μm角の断面観察が可能!

弊団では、Xe-PFIBを用いた広域断面のSEM観察を承っております。 集積回路、電極やプリント基板、半導体パッケージの電極を 電気的に接続する金属製ボンディングは直径数十μm~数百μm程です。 Xe-PFIB(Xe-Plasma Focused Ion Beam)では数十nmオーダーで 加工位置を狙い、数百μm角の断面を作製できるため、 ボンディング中央にて全景を詳細に把握することができます。 【測定法・加工法】 ■[SEM]走査電子顕微鏡法 ■X線CT法 ■[FIB]集束イオンビーム加工 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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