SEM-ECCI法によるGaNの転位観察
SEM-ECCI法を用いると容易な前処理で観察可能に！単結晶GaNの測定事例もご紹介
当社では、SEM-ECCI法によるGaNの転位観察を行っております。 窒化ガリウム（GaN）等のパワー半導体において、製造時に含まれる転位は デバイス性能の低下や短寿命化の要因とされています。 半導体の転位観察は主に透過電子顕微鏡（TEM）やエッチピット法が用いられますが、 SEM-ECCI法を用いると容易な前処理で観察可能となります。 【測定事例】 ■供試材：単結晶GaN（サファイア基板上にGaNを成膜したウェハ） ■面方位：C面（0001）±0.5° ■GaN膜厚：4.5±0.5μm ■測定条件：後方散乱モード ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社大同分析リサーチ
- 価格：応相談
