電子顕微鏡のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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電子顕微鏡(表面分析) - メーカー・企業と製品の一覧

電子顕微鏡の製品一覧

1~6 件を表示 / 全 6 件

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【技術資料】電極付着物(接点)

導通不良を起こした接点表面を電子顕微鏡観察することで調査した事例をご紹介!

当社では、分析ソリューション事業を行っています。 本資料では、導通不良を起こした接点表面を非接触、 非破壊の状態で40~250倍の電子顕微鏡観察を行い、 接点表面の付着物の観察を行った事例を掲載しています。 付着物の蛍光X線分析による元素の定性、顕微赤外分光分析による 化合物の定性により接点付着物の特定を行うことで、特定した付着物から 接点への付着メカニズムが解明でき、導通不良原因を調査できます。 【掲載内容】 ■概要 ■特長 ■分析事例 ・電子顕微鏡観察 ・蛍光X線分析、顕微赤外分光分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 分析機器・装置
  • その他の各種サービス

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【資料】材料系解析事例

30nmから5μmの切片作製が可能!材料系解析事例を複数ご紹介した資料です!

当資料は、株式会社花市電子顕微鏡技術研究所が行った材料系解析を まとめた事例集です。 「ウルトラミクロトーム」では、生物組織、金属メッキ層や無機蒸着 層を含む複合材料、ナノ粒子など幅広い分野における高品質な超薄切片 および断面作製に適応可能です。 当社では、受託分析を始めました。協力機関とタイアップして材料分析を 実施致します。 【掲載事例】 ■リポソームの構造解析 ■HIPSの構造解析 ■レンズ断面の構造解析 ■菓子袋の断面観察 ■分散法による金属粒子の形態観察(金属微粒子/金属担持カーボン) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 受託解析
  • 電子顕微鏡
  • その他顕微鏡・マイクロスコープ

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技術開発室の設備紹介

マイクロスコープや電子顕微鏡などを所有!各種分析装置を用いて常に安定した品質のめっきをご提供

当社の技術開発室では、各種分析装置を用いて、 3工場のめっき液を分析・管理、めっき作業による薬品の消費量を把握し 補給量をコントロールすることで、常に安定した品質のめっきを ご提供できるよう努めています。 また、2015年に走査型電子顕微鏡を導入し、めっき被膜の表面分析や評価を行っております。 ミクロン単位での観察により肉眼では意識できない問題点を明確にするとともに、 お客様のニーズに合わせた表面状態のめっき条件を研究。 【所有設備(一部)】 ■マイクロスコープ ■電子顕微鏡 日本電子製:「SM-6010PLUS/LA」 ■研磨機 三啓Aqua製:自動研磨機「HA-FSA-83」 ■切断機 三啓Aqua製:切断機アルトカット「CK260-90」 ■SIMADZU製:分光光度計「UVmini-1240」 ■マツザワ製:ディジタル微小硬度計「SMT-3」 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • めっき装置
  • 製造受託

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塗膜の観察

平面傾斜切削も可能な“ミクロトーム”など!様々な製品で使用されている塗膜の観察、分析例をご紹介

自動車、携帯電話等、様々な製品で使用されている塗膜の観察、分析例を ご紹介します。 「トリプルイオンポリッシャー(CP)」は、硬・軟材料の共存する試料であっても、 ダメージのない加工ができ、「ミクロトーム」は、断面作製のみならず、 平面傾斜切削も可能。 この他、「卓上斜め切削機」は、表面情報として元の厚みの6~300倍の サンプル面を取り出すことが可能で、「卓上型SEM(電子顕微鏡)」は、低真空下 での観察が可能なモード(帯電軽減)があり、揮発成分が出る試料の観察や 元素分析ができます。 【プラスチック皮膜(携帯電話のケース)の観察】 ■トリプルイオンポリッシャー(CP) ■ミクロトーム ■卓上斜め切削機 ■卓上型SEM(電子顕微鏡) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • 斜め切削機_3.png
  • 分析機器・装置
  • その他環境分析機器

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【分析事例】有機薄膜太陽電池活性層の混合状態評価

低加速STEM観察とEELS測定による有機材料の分布状態評価

低加速STEM観察とSTEM-EELS面分析により、バルクへテロ接合型太陽電池の活性層の混合状態の評価を行いました。評価にはITO上に活性層のみを成膜した試料を用いました。 低加速STEM像(写真1)のコントラストはSTEM-EELS像のS、 Cの元素分布(写真2、 3)と対応しており、バルクヘテロ構造を反映していることが確認できました。また、Sの分布に偏りが認められ、表面側にP3HTが偏析していることも示唆されました。

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【分析事例】酸化ガリウムGa2O3イオン注入ダメージ層の評価

イオン注入後のアニール条件の違いによる差異を確認

酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが広く、優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。デバイスの開発には、特性を左右する不純物濃度や結晶性の制御が重要です。本資料では、イオン注入による結晶構造の乱れから生じるダメージ層及び表面粗さの変化を、アニール条件毎に観察した結果を示します。 測定法:TEM・AFM 製品分野:酸化物半導体・パワーデバイス 分析目的:形状評価・構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

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  • 受託解析
  • 受託測定

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