高分解能 静電容量センサ
高分解能 静電容量センサ
標準品でレンジ10nm〜6000nm(6mm)まで対応!測定する材質を選びません!非導体でも測定できます。 ウェハーの厚み測定や精密な位置決め装置として使用されます。分解能0.2nmの高分解能で、超微細な測定に向いています!!
- 企業:翔栄システム株式会社
- 価格:応相談
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高分解能 静電容量センサ
標準品でレンジ10nm〜6000nm(6mm)まで対応!測定する材質を選びません!非導体でも測定できます。 ウェハーの厚み測定や精密な位置決め装置として使用されます。分解能0.2nmの高分解能で、超微細な測定に向いています!!
最大300µm測定範囲、0.01nm分解能の非接触変位センサー
精密機械分野では、製品性能や加工精度を高めるため、ナノメートルレベルの高精度な変位測定が求められます。特に高精度位置決めや微細加工、精密計測では、わずかな変位の変化を正確に測定することが重要です。測定精度が不足すると、製品品質の低下や装置性能のばらつきにつながる可能性があります。 D-050 / D-100は、静電容量方式による非接触変位測定を採用した高分解能センサーです。最大0.01nmの分解能により、ナノスケールの精密変位測定を実現し、精密機械装置や精密計測システムにおける高精度位置制御に貢献します。 【活用シーン】 ・精密位置決め装置 ・精密計測機器 ・半導体製造装置 ・ナノ位置決めシステム ・クリーン環境での精密測定 【導入の効果】 ・ナノメートルレベルの高精度変位測定 ・非接触測定による対象物への影響低減 ・高精度位置決め制御の実現 ・多軸システムにおける高精度フィードバック制御
サブナノメートル分解能・最大10 kHz帯域。ウェーハ位置制御に最適な非接触静電容量センサー
半導体製造では、ウェーハステージや精密位置決め機構のわずかな変位や振動が、加工精度や製品歩留まりに大きく影響します。微細化が進む半導体プロセスでは、ナノメートルレベルの変位を高精度に測定することが重要です。 D-510 PISecaは、静電容量方式による非接触変位測定を採用した高分解能センサーです。サブナノメートル分解能と最大10 kHzの高帯域測定により、ウェーハステージの微小変位や装置振動を高精度に検出し、半導体製造装置における位置制御の高精度化とプロセス安定化に貢献します。 【活用シーン】 ・ウェーハステージの位置フィードバック ・半導体製造装置のナノ位置制御 ・ウェーハ表面の振動測定 ・精密アライメントシステム ・半導体検査装置 【導入の効果】 ・ナノレベルの高精度変位測定 ・非接触測定によるウェーハへの影響低減 ・装置振動の高精度モニタリング ・半導体プロセスの安定化と歩留まり向上
サブナノメートル分解能でナノ変位測定を実現。ナノ材料評価・ナノ位置決めに最適な非接触変位センサー
ナノテクノロジー分野では、材料や構造の微小な変位や変形をナノメートルレベルで正確に測定することが重要です。特に、ナノ材料評価やナノ計測、ナノポジショニングでは、わずかな変位の変化を高分解能で検出できるセンサーが求められます。 D-050 / D-100は、静電容量方式による非接触変位測定を採用した高分解能センサーです。最大0.01nmの分解能により、ナノスケールの変位測定や高精度位置制御を実現し、ナノテクノロジー研究やナノ計測システムにおける高精度測定を可能にします。 【活用シーン】 ・ナノ材料の特性評価 ・薄膜の厚さ測定 ・表面形状の精密測定 【導入の効果】 ・ナノメートルスケールでの高精度な測定が可能 ・非接触測定による材料への影響を最小化 ・多軸制御によるリアルタイム補正が可能