旭テックの製品・サービス一覧

社内での取付工数削減、締付トルク管理等お任せください。

太陽光発電システム、直流配電盤等に実績多数ございます。

Infineon Technologies社の『インフィニオン　エコブロック』は、大型モジュールのコスト改善要求に応えるため、60mmモジュールを圧接(PC)テクノロジーで再設計しました。 標準的なパッケージサイズはそのままに、DTC（design-to-cost）の手法で、 使用材料コストを削減。新しいモジュールは、圧接(PC)テクノロジーを そのままに、必須機能のみに機能削減を行っており、 その高い信頼性は優れた製品寿命を実現しています。 【特長】 ■実績ある圧接テクノロジーの完全な再設計 ■耐障害性 ■クラス最高レベルのDCブロッキング性能 ■高い動作温度 ■標準的なパッケージサイズ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

Infineon Technologies社の『EVAL-M1-IM818-A』は、CIPOS Maxi IPMを使いアプリケーションを開発するお客様を、その第一段階からお手伝いするよう開発されました。 「EVAL-M1-101T」や「EVAL-M1-099M」などの、20ピンの M1インターフェースコネクタをもつ制御ボードとの組み合わせで、 「CIPOS Maxi IPM」のモータ駆動動作を再現します。 【特長】 ■1200VのIPMを使用した3相モータ駆動用電力段 ■公称電圧値 AC 380V ■冷却機能付きで最大2.6kW出力 ■オンボードEMIフィルタ ■過電流保護 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ダイオードチップは、独自の高耐圧保持構造と拡散技術の融合で 3000V超高耐圧と低損失(低VF)を実現。 3000V超高耐圧モジュールに要求される「空間距離」「沿面距離」 「絶縁耐圧」を新開発パッケージで確保。 さらに、高放熱(低熱抵抗)を実現。 ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

Infineon Technologies社の当製品は、高効率な市販のシングルチャネル絶縁型窒化ガリウム(GaN) EiceDRIVER ICを使用して、GaN HEMTを駆動させます。 CoolGaN エンハンスモードHEMTは、インフィニオンのEiceDRIVER ICの 1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663Hを使用することで、好適な駆動を 実現できます。 【特長】 ■低抵抗出力ソース: 0.85Ω、シンク: 0.35Ω <シングルチャネル・ガルバニック絶縁> ■機能絶縁：VIO= 1500VPC 　・VIOWM = 510Vrms (16-pin DSO) 　・VIOWM = 460Vrms (LGA 5x5) ■強化絶縁 　・VIOTM = 8000Vpk(VDE 0884-10 未決定) 　・VIOWM = 1420 VDC ■最小同相過渡電圧耐性 (CMTI)： 200V/ns ■タイミング 　・最小出力パルス幅：18ns 　・伝搬遅延精度：13ns ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

Infineon Technologies社の『CoolGaN 600Vシリーズ』は、GaNに特化した特定認定プロセスに従って実現されており、堅牢で信頼性の高いソリューションです。 高い性能を発揮するSMDパッケージをベースとした、GaNのメリットを 最大限に活用したインフィニオンのラインアップとなっています。 【特長】 ■600Vパワーデバイス ■ハード・スイッチング・トポロジーとソフトスイッチング・トポロジーに好適 ■電源ターンオンとターンオフ用に好適化済み ■革新的なソリューションと大量生産を実現する先端技術 ■スイッチング電源（SMPS）向けの高効率 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

Infineon Technologies社の『CoolMOS CSFD』は、高耐圧スーパージャンクションMOSFETに、高速ボディダイオードを搭載しています。 低いRDS(ON) x Qg, Eossにより低いFOM性能指数を実現。 優れた逆回復ダイオードdv/dtとdif/dt耐量などの特長をもっています。 【特長】 ■超高速ボディダイオード ■EV充電アプリケーション向けに最適な効率性 ■高い電力密度 ■高い信頼性レベル ■適切なRDS(on)とパッケージの組み合わせの選択 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

Infineon Technologies社の『XHP 3』は、高い信頼性と高電力密度を実現する拡張性の高い設計が可能なモジュールです。 トラクション(電鉄)、CAV、海上輸送、中電圧駆動機器など、要件が厳しい アプリケーションに対して優れたソリューションを提供します。 現在 2つのモデルがあり、それぞれ同じサイズのため、好適な電力変換 コンセプトを組み込むために異なる定格電流や定格電圧を採用しても、 製品設計者は均一なソリューションを構築することができます。 【特長】 ■優れたシステム拡張性 ■シンプルな機械的設計によりデザインインのプロセスを加速 ■損失を低減したクリーンなスイッチング動作 ■絶縁（10kV）に対する要求が高い3レベルアプリケーションに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

整流用絶縁型ダイオードモジュールで、2個のダイオードを内蔵 =特長= ■ ブリッジ(単相、三相)結線が容易 ■ 電極端子と取付けベースとの間が絶縁されており放熱体の設計が容易 ■ 表面処理にガラスパッシベーションを採用しており高信頼度を実現 ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

整流用絶縁形ダイオードモジュールで、2個のダイオードを内蔵 =特長= ■ ブリッジ(単相、三相)結線が容易 ■ 電極端子と取付けベースとの間が絶縁されており高信頼度が容易 ■ 表面処理にガラスパッシベーションを採用しており高信頼度を実現 ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

整流用絶縁形ダイオードモジュールで、2個のダイオードを内蔵 =特長= ■ ブリッジ(単相、三相)結線が容易 ■ 電極間端子とごりつけベースとの間が絶縁されており放熱体の設計が容易 ■ 表面処理にはバラスパッシベーションを採用しており高信頼度を実現 ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

SanRex DF60LA/LB80/160 三相全波整流用として設計された絶縁形ダイオードモジュール 6個のダイオードを内部で三相ブリッジ接続しており、定格直流出力電流は60A(Tc=111℃)、定格ピーク繰り返し逆電圧は最大1600V =特長= ■ LAタイプはバリアなし、LBタイプはバリア付き ■ 絶縁タイプ(電極端子-取付ベース間)なので、他のパワーモジュールと同一フィンに取付け可能 ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

SanRex DF100LA/LB80/160 DF100AL/LBシリーズは三相全波整流用として設計された絶縁形ダイオードモジュール 6個のダイオードを内部で三相ブリッジ接続し、定格直流出力電流は100A(Tc=90℃)、定格ピーク繰返し逆電圧は最大1600Vまで。 =特長= ■ LAタイプはバリアなし、LBタイプはバリア付き ■ 絶縁タイプ(電極端子-取付けベース間)なので、他のパワーモジュールと同一フィンに取付けが可能 ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

=特長= ■ 200Aの大容量 三相整流ダイオードブリッジ ■ 大電流容量でありながら、高さ17mmと薄型設計 ■ 低積層内部構造による高放熱化(低熱抵抗)を実現 ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

SanRex DKA60KB80/160 整流用ダイオードモジュール 2個のダイオードを内蔵 =特長= ■ カソード端子共通2個入り ■ 絶縁形パッケージ ■ ガラスパッシベーションタイプのチップを採用しており高信頼性を実現 ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

高速ダイオードモジュール FDS100CA120 大電力スイッチング用として開発され、低損失、高速駆動が可能で、高周波、大電力を扱う用途に最適な2素子入り絶縁形モジュール =特長= ■ 高耐圧 1200V ■ 高速逆回復時間 Trr≦300ns ■ 平均オン電流 100A (各素子) ■ 絶縁形なので取付けが簡単 ■ 高サージ電流 ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

SanRex KD160KB80/160 整流用絶縁形ダイオードモジュール =特長= ■ カソード端子共通2個入り ■ 絶縁型パッケージ ■ ガラスパッシベーションタイプのチップを採用しており高信頼性を実現 ■太陽光発電接続箱に納入実績あり ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

SanRex BKR400AB10 大電力整流用として開発され、低損失で大電力を扱う用途に最適 2素子入り非絶縁形ショットキーダイオードモジュール =特長= ■ 低オン電圧：0.93V ■ 平均オン電流：200A (各素子) ■ VRRM：100V ■ 高サージ電流 ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

SanRex トライアック/サイリスタ TMG/SMGシリーズ =特長= ■ Tj = 150℃保証 (Qシリーズ) Tj max = 150℃(Q series) ■ 低損失 Vt = 1.4V (トライアック It = 3A以上品) 仕様するウェハとプロセスの最適化により、良好な耐圧特性を保ち、低オン電圧）を実現 ■ トライアックは耐圧800V品をラインアップ ＊詳しくはお気軽にお問い合わせください。

Infineon 1350V 保護IGBT Fシリーズ 詳細： 保護IGBT Fシリーズは、IH調理アプリケーション向けに6ピンの TO-247パッケージにRC-H5テクノロジー 1350V, 20A IGBTと 独自の保護ゲートドライバICを組み合わせた製品です。 利点： ■ しきい値を超えてオンする事でボードの複雑さとコストを低減 ■ ボードの複雑さを軽減し、ソリューション全体のコストを削減 ■ ボード上の複雑さとデザインインの手間を軽減 ■ シンプルなBOMとトータルショリューション用コストの削減

600V耐圧 小型軽量 非絶縁型高速ダイオードモジュール 溶接機やプラズマ切断機などの二次側整流用途には、高耐圧でスイッチングロスが小さく、逆リーク電流が小さい高速ダイオードが用いられます。 高速ダイオードチップに独自のTechno Blockパッケージ技術を組み合わせることで、優れた長期信頼性、高温動作及び、小型・軽量化を実現しております。 *Techno Blockパッケージ技術 はんだ接合で金属とチップを挟み込む構造に、トランスファーモールド後方を組み合わせた、小型・高放熱・高信頼性のパッケージ技術 =Techno Blockの特長= ■ 高いパワーサイクル耐量 (従来比3倍以上) ■ 高温度動作が可能 Tj=150℃ ■ 小型・軽量化 (現行比10%の軽量化)

Infineon Technologies社の『TRENCHSTOP IGBT7』は、新構造の「マイクロパターントレンチ」技術を採用しており、損失を大幅に低減し、高いレベルでの制御性を実現しています。 チップは、産業用駆動アプリケーションに特化しているため、静的損失の 大幅低減、高電力密度、よりソフトなスイッチングを実現。 さらに、パワーモジュールで過負荷状態での最大許容動作温度を175℃まで 高めることにより、電力密度を大幅に高めることができます。 【特長】 ■低いオン電圧 VCE(sat) および Vf ■過負荷時 Tvj op=175℃ ■dv/dtの制御性の向上 ■最適化されたスイッチング損失dv/dt = 5kV /μs ■短絡耐性 8 μs ■還流ダイオードのソフトスイッチング特性の向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

Infineon Technologies社の『Easy 1B, 2B』は、SiC MOSFETを搭載した パワーモジュールです。 低浮遊インダクタンスの標準となったEasyパワーモジュールの特長と、 インフィニオンの1200V CoolSiC MOSFETチップの特長を組み合わせる ことで、システムコストおよび運用コストを削減できます。 短絡耐性が求められるアプリケーションですぐに使用可能な製品です。 【特長】 ■Siに比べスイッチング損失を約80％低減 ■線形出力特性による低伝導損失 ■EasyパッケージのCoolSiC MOSFETの市販品ラインアップが豊富 ■ゲート酸化膜の優れた信頼性 ■逆回復電荷が低いボディダイオード ■Vth 4V以上の高い閾値電圧 ■短絡耐量2μs ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『650V CoolMOS CFD7ファミリ』は、インフィニオンの定評ある CoolMOS CFD7ファミリの電圧範囲を拡張した、よく知られている CoolMOS CFD2の後継製品です。 追加の50V耐圧、統合された高速ボディダイオード、改善されたスイッチング 性能、優れた熱挙動により、ソフトスイッチングアプリケーションにおける 高い効率と電力密度レベルを可能にします。 【特長】 ■超高速ボディダイオード＆超低Ωrr ■650Vの絶縁破壊電圧 ■同クラスにおいて優れたRDS(on)/パッケージの組み合わせ ■スイッチングロスを大幅に削減 ■RDS(on)の温度依存性がきわめて低い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『F3L11MR12W2M1_B74』は、高い電流のシリコンダイオードを採用しており、 cosφの全範囲に対応し、エネルギー貯蔵システムに好適なモジュールです。 モジュールを並列接続した場合、ソーラーシステムでは150kW、 蓄電システムではモジュールあたり75kWの電力を得ることが可能。 さらに、クラス最高レベルのCoolSiC トレンチMOSFET技術を搭載し、 優れたゲート酸化膜信頼性を実現しています。 【特長】 ■CoolSiC トレンチMOSFETテクノロジー ■3レベルのANPCトポロジー ■1200VのスイッチでDC1500Vのフル機能 ■Siダイオードの定格電流増加 ■PressFITテクノロジー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)』は、ミラークランプ機能を搭載する オプションもあるゲートドライバファミリです。 コンパクト且つ設計が容易。 以前発売されたゲートドライバファミリには、DSO-8 150ミルナローボディ パッケージが加わりました。 【特長】 ■IGBT(IGBT7含む)、SiC、Si、MOSFET用 ■出力電流14A、伝播遅延マッチング7ns ■90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns ■40Vの絶対最大出力電源電圧 ■ソース出力とシンク出力の分離またはアクティブミラークランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『EiceDRIVER 高速レベルシフト 650V』は、高速90nsの伝搬遅延と(最大) 10nsの遅延マッチングにより、高周波数でのスイッチングが行なえます。 超高速ブートストラップダイオードを内蔵する他、優れた負のVS過渡耐性や チャンネルごとにUVLO機能を備え、優れた性能とBOMコストの削減が可能。 SMPS、UPS、eVウォールチャージャ、バッテリチャージャ、LED照明器具など、 多くのアプリケーションで使用されるLLC/LCC共振ZVSトポロジへの アプリケーションで使用できます。 【特長】 ■動作電圧(VSノード) 最大+650V ■100Vまでの負のVS過渡耐性(パルス幅300ns) ■超高速、低抵抗のブートストラップダイオードを内蔵 ■90ns伝搬遅延、10ns(最大)遅延マッチング ■最大500kHzまでのスイッチング周波数をサポート ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『OptiMOS5 25Vおよび30VパワーMOSFET』は、2つのパーツを1つのOリング アプリケーションで交換できる半導体です。 当製品によりインフィニオンは、待機時およびフル稼働時の両方で高い 電力密度とエネルギー効率を実現し、ベンチマークソリューションを提供。 こうした最高クラスのMOSFETを、SuperSO8パッケージで提供しています。 【特長】 ■非常に低いオン抵抗RDS(on) ■100％雪崩テスト済み ■優れた耐熱性 ■Nチャネル ■鉛フリープレート、RoHS対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『OptiMOS6 パワーMOSFET 40Vノーマルレベル』は、ノイズの多い環境でも 誤作動を起こさないノーマルゲート駆動の半導体です。 QGD/QGS比を小さくすることで、ゲート電圧スパイクのピークを抑え、 不要なターンオンに対する堅牢性をさらに高めることが可能。 「ISC007N04NM6」は、0.7mΩという非常に低いRDS(on)を実現しています。 【特長】 ■Nチャネル-エンハンスメントモード ■ノーマルレベルのゲートスレッショルド2.3V(Typ.) ■175℃ジャンクション温度(Tj) ■dv/dtイミュニティに最適化された電荷比QGD/QGS＜0.8 ■低いゲートチャージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『StrongIRFET2 パワーMOSFET』は、幅広いアプリケーションに対応する インフィニオンのMOSFET技術です。 低周波および高周波の両方のスイッチング周波数に好適。 当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な製品を 提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格/性能比 ■高いスイッチング周波数と低いスイッチング周波数に好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『TOLTパッケージのOptiMOS5 80V/100V』は、高出力アプリケーションや 小型電気自動車などのメインインバーターに適した半導体です。 エクスポーズドパッドに特殊な仕上げをし、優れた熱伝導性を確保。 高出力性能を備えた電子制御ユニットが、以前にも増してパワーステージの 上面冷却で設計されているため、インフィニオンはこの新しい要件を サポートする専用パッケージで、MOSFETラインアップを補完しました。 【特長】 ■上面冷却に特化したTOLTパッケージ ■最小のRDS(on)は80Vで1.1mΩ、100Vで1.5mΩまで低下 ■低いパッケージ抵抗と浮遊インダクタンスの最小化 ■狭いVGS(th)レンジ ■様々なアプリケーションの電源要件に対応する多様なRDS(on)オプション ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

特徴： ■ 低損失 局所ライフタイム制御により、低損失(低VF=1.4V(typ)）と高いソフト性を両立 リーク電流 IRRM≦50mA の低損失 従来比1/2以下(メーカー比 Tj=150℃) ■ 低ノイズ 逆回復時に発生するサージ電流によるノイズを大幅に低減

■ DC1000Vストリング 太陽光発電システム対応 　太陽光パネルの保護、出力電力低下防止に効果的 ■ 配線が容易な端子配列を採用 ■ ストリングの高電圧化により、システム全体のストリング数が減らせ、配線の細線化、配線長の短縮が可能 ■ 新開発、専用ダイオードチップの採用で、高耐圧でありながらVF、熱抵抗を改善 ■ 2200V耐圧2個入り絶縁型パッケージ ■ 低Vf (順電圧降下) Vf(typ)=0.87V(IF=10A, Tj=25℃)

「Techno Block」シリーズは、両面はんだ接合、トランスファーモールド採用の小型・高放熱パッケージの半導体モジュールです。 ■ 高いパワーサイクル耐量 ■ 小型・軽量 ■ 高温動作

■ DC1500Vストリング 太陽光発電システム対応 ■ 直流逆電圧 3000V耐圧(チップ当たり)絶縁型パッケージ ■ 高耐圧でありながら低損失 高放熱を実現 ストリングの高電圧化により、発電システム全体の損失が軽減し、発電効率が向上。 並列ストリング数も減らせるため 電線長 接続箱の回路数 が削減でき、導入コスト削減につながります。

■ 熱抵抗を大幅に低減 ■ 部品点数削減で省スペース化が可能 ■ 大電流容量と良好なはんだ付け性を両立するデュアル端子を採用 ■ 両面マーキングで実装状態でも製品識別が可能

■ 大電流でありながら、高さ17mmの薄型化を実現 ■ 17mm高さのIGBTモジュールと同一高さで実装可能 ■ 低積層内部構造による高放熱化(低熱抵抗)と軽量化を実現

特長 ■ 大電力2素子入り絶縁型パッケージ(SOT-227) ■ 機器の小型・薄型化に対応 ■ 低損失・高速駆動可能 ■ 低オン電圧 ■ 高速ソフトリカバリー