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当社では、GaN、Sapphire、SiC基板上へのMOCVDによるエピ成長に 対応できるウエハを開発しております。 高周波デバイスをはじめ、パワーデバイス、照明など 様々な用途にご利用頂けます。 ご要望の際はお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■低欠陥密度 ■表面平坦性 ■4inch以上の大面積化が可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
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