ELO(epitaxial lateral overgrowth)にも対応！
当社では、GaN、Sapphire、SiC基板上へのMOCVDによるエピ成長に 対応できるウエハを開発しております。 高周波デバイスをはじめ、パワーデバイス、照明など 様々な用途にご利用頂けます。 ご要望の際はお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■低欠陥密度 ■表面平坦性 ■4inch以上の大面積化が可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
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企業情報
当社は、窒化ガリウム系次世代デバイスの開発・製造・販売を行っている会社 です。 当社が取り組んでおりますGaN半導体電子デバイスは、省エネ、省体積、 高温、耐放射線に秀でた特性を持ち、これからの社会に必須なデバイスで あると認識されております。 GaN半導体電子デバイスは、パワーエレクトロニクスの電力変換効率を 劇的に高め、省エネルギー社会の実現に貢献してまいります。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。
