電子部品・半導体

E&E Evolution株式会社

設立2016年10月27日
資本金100万
従業員数7名
住所愛知県名古屋市天白区塩釜口2丁目1522　名城大学科学技術創生館3階
電話052-875-8355
最終更新日：
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窒化物半導体結晶成長 窒化物半導体結晶成長
ウエハ微細加工 ウエハ微細加工
デバイスプロセス加工 デバイスプロセス加工
窒化物半導体結晶成長

窒化物半導体結晶成長

MOCVD装置（有機金属化合物気相成長法）を用いたGaN 結晶成長に関する知見・ノウハウを持っております。 これらを用いた結晶成長の受託加工サービスを展開しております。

窒化物結晶成長

各種半導体基板上への窒化物半導体結晶の成長実績あり。ご要望に応じたカスタマイズも可能。

当社では、MOCVD装置を用いたLED構造の成長技術を基幹とする窒化物半導体結晶成長をお客様のご要望に応じて承っております。 また、独自の結晶成長の試作にも積極的に取り組んでおります。

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