ティー・ケイ・エスの製品・サービス一覧

当社では、独FHR社の『Star.500-EOSS(R)』を取り扱っております。 『Star.500-EOSS(R)』は、光学フィルター成膜用として設計された マグネトロンスパッタシステムです。 成膜用のパーティクルを最小限にするためスパッタアップの方式を採用。 200mm径までのフラット並びに曲面の基板まで対応しており、 基板加熱機構も組み込みできます。 【特長とメリット】 ■傑出した光学多層膜の再現性 ■優れた膜厚均一性 ■シリンダー型スパッタカソードとスパッタアップとの組み合わせによる 　膜質の改善と欠陥の無い成膜 ■円筒型ターゲットによる長寿命ターゲットライフと 　成膜レート変動の最小化 ■完全に自動化されたプロセス制御　 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

今後大きな需要が期待されるLiDAR用途など、多層化と高再現性が求められる高機能光学フィルターの安定生産に力を発揮します。 ・シリンダー型カソードによる、ターゲット消耗による膜質変化の影響を廃した製膜 ・リアクティブイオンソース搭載による、酸化膜の安定成膜 ・最大４基のカソードの搭載による、幅広い多層膜の成膜 など、高品位な光学薄膜成膜に特化した装置です。 特徴 ■傑出した光学多層膜の再現性 ■優れた膜厚均一性 ■シリンダー型カソードとスパッタアップとの組み合わせによる 　膜質の改善と欠陥の無い成膜 ■In-situモニタリングによる、成膜状態の連続監視 ■完全に自動化されたプロセス制御　 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『DSUシリーズ』は、有機エレクトロニクス研究で蓄積されたプロセスデータから開発された “QUANTIpure Technology”を基にした高純度有機材料の昇華精製装置です。 昇華精製工程の再定義から生まれた独自の精製システムにより、高収率と超高純度の両立を実現しています。 原料投入以降はすべて自動制御で運転され、精製終了までオペレーターの操作は必要ありません。 5gの少量精製はもちろん、10kgの大量精製に対応できる機種もご用意。 オペレーター1名で運転準備と製品回収などのバックグラウンド作業のすべてが完結します。 【特長】 ■開発から量産まで幅広いニーズに対応 ■オートプロセスコントロールによる温度・圧力制御 ■実験や開発に適した5gから量産用の10kg/runを精製 ■純度99.99％・歩留まり98％(2回目の精製後) ■縦型のため省スペースで設置可能 ■オペレータ１名ですべての作業が完結 ※「PDFダウンロード」より製品資料(英語)をご覧いただけます。 　お問い合わせもお気軽にどうぞ。 ※ 本画面下部にて関連製品動画もご覧いただけます。

『FHR.STAR-400x300SALD』は、200mmウェハあるいは 400x300mmまでの基板やテキスタイルの成膜に対応した 高速成膜ALD（Spacial ALD）装置です。 400x300の基板では10mm厚迄の3次元形状への均一な成膜が可能。 従来のサーマルALD方式に較べ高速で成膜できるためデバイスの量産に 使用が可能でIn-Situのエリプソメーターや透過型分光器に対応する 設計となっていますのでより精度の高いプロセスコントロールができます。 クラスター対応設計により必要に応じて搬送チャンバー、ロードロック、 その他プロセスチャンバーをインテグレーションができ、この設備の 他小口径ウェハ対応の設備も用意しておりますのでお問い合わせ下さい。 【特長】 ■10mm厚迄の3次元形状への均一な成膜が可能（400x300の基板） ■従来のサーマルALD方式に較べ高速で成膜できる ■デバイスの量産に使用可能 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

安定した成膜とコストダウンの両立を実現します。 アメリカオングストローム・サイエンス社製の高機能・高品質な「マグネトロンスパッタカソード」です。 特許技術のShaped Magnet採用により、ターゲットの広い面積を利用するため、エロージョンの進行によるスパッタ状態の変化が起こりにくく、安定した成膜とターゲット交換のためのコスト低減を実現しています。 【特長】 ■Shaped Magnet高効率テクノロジーカソード: 高い成膜効率と安定性を実現 ■継続使用可能なターゲット: お手持ちのターゲットを再利用可能で、コスト減 ■安定した成膜とコストダウンの両立: エロージョンによるスパッタ状態の変化が少なく、ターゲット交換のコストを低減 ■既存各社のスパッタ装置での使用可能: 他社の装置にも適応可能 ■高真空対応: 幅広い用途に対応する高真空環境で使用可能 ■φ1インチからφ12インチ迄の対応: ターゲットサイズの柔軟な選択可能 ■豊富なオプション機構: シャッターやチルトアングルなど、多彩なオプション有 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

AVP Technology社製イオンビームエッチング装置はICPイオンソースを搭載した高均一・高エッチングレート、かつ稼働再現性・安定性に優れた製造装置です。 他社IBE装置に較べ卓越した制御システムにより、製造設備に必須である安定稼働を実現しています。 最新の駆動機構によりレイテンシー時間を最小限に押さえて生産性を改善しています。

従前のマグネトロンスパッタでは成膜レートが低くなるAl2O3、SiO2などの誘電体、 Feなどの強磁性体の成膜で力を発揮する高速イオンビームスパッタ（IBD)装置です。　 ヘリコンプラズマソースをイオン源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的な方法により、高レートかつ直進性の高い成膜を実現します。 ターゲット面全体を高効率で利用するため、貴重・希少なターゲットを用いる成膜工程でのコスト削減にも貢献します。 ＜特長＞ ■高速・高効率イオンビームスパッタリング 　誘電体・強磁性ターゲットへの最適解 ■ヘリコンプラズマイオンソースとターゲット印加 　高速スパッタリングと低コンタミの両立 　ターゲット利用効率の向上によるランニングコスト削減 　グリッドレス構造によるメンテナンス低減 　リモートプラズマ構成による、基盤を低温に保ってのスパッタリング ■枚葉処理 　ステップカバレージの向上 　クラスターツールによる複合成膜 ■優れた直進性 　直進性の高いイオンビームにより、均一な膜厚での成膜が可能。 ステップカバレッジの優れた成膜

イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 独立した制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体成膜、金属ターゲットとセラミックターゲットなどのCo-スパッタ、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートする装置です。 イオン供給量とスパッタレートの独立コントロール 　→スパッタレート、膜質、結晶構造の制御 　→ターゲット材のイオン化率の制御 直進性の高い成膜 　→イオンビームスパッタの特徴である直進性の高い成膜 多連装ターゲット機構 　→幅広い多層膜成膜 複数ターゲットの独立制御 　→各ターゲットのスパッタレートを制御してのCo-スパッタ合金成膜 　→ターゲットを切り替えての多層成膜 基盤へのバイアス印加制御によるコンフォーマル成膜 　→ディープトレンチ、回り込みなどの悪条件下でもコンフォーマルな成膜

PlasmaQuest社 ヘリコン型 高密度イオンソースの開発販売、及び 応用製品の開発販売で25年の歴史を持つ優良企業です。 グリッドレスで高密度なプラズマを発生させるヘリコンプラズマソースは、多くの装置メーカーにOEM供給を続けていおります。 その高品位なプラズマソースをイオン源として、ターゲットにバイアス印加を行う画期的な手法「HiTUS」システムにより、様々な条件やターゲットを用いてのスパッタを実現しています。 従来のマグネトロンスパッタ装置では困難とされる高磁性ターゲットや高誘電ターゲットのスパッタ、金属とセラミックなどの異種ターゲットを同時に用いるCo-スパッタなど、多用途での運用を可能としています。 研究用途から生産規模の装置まで柔軟に対応できる多性を整えています。

HiTUSテクノロジー イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 独立した制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体成膜、金属ターゲットとセラミックターゲットなどのCo-スパッタ、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートいたします。

-TKSがご提供する 装置延命化サービス- 国内の半導体や電子デバイス製造には導入から20年を超えて使用されている装置が多く、生産には不可欠な装置も多々稼働中です。 ただ、装置に使用されているモジュールや部品などは既に生産中止になっているものも少なくありません。 消耗・劣化・故障したモジュールの修理・再生にあたり、現行品を使用することで装置の安定稼働につなげます。 また、安定供給やコスト削減を目的とした部品国産化もご相談ください。 -サーボモーター・ドライバー 換装による延命化- 稼働中の装置には多数のサーボモータが使用されていますが装置稼働中にもそのモータドライバとモータは数年ごとに更新され生産中止になります。 長年稼働中の装置に使用されているモータドライバもしくはモータが故障した場合、これまで中古品を探すか修理する以外に対応できませんでした。 この対応では「中古品がない！」「修理不可！」となった場合は稼働可能な範囲で装置を使用するか稼働停止や新規装置購入となりかねません。 弊社ではこのような問題を解決できるよう対応策を模索して実績までに至りました。

ヘリコンプラズマソースをイオン源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的な方法により、高レートかつ直進性の高い成膜を実現します。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 従前の装置で成膜が難しい強磁性体、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜などの成膜を高レートで実現します。 ＜特長＞ ■高速・高効率イオンビームスパッタリング 　誘電体・強磁性ターゲットへの最適解 ■ヘリコンプラズマイオンソースとターゲット印加 　高速スパッタリングと低コンタミの両立 　ターゲット利用効率の向上によるランニングコスト削減 　グリッドレス構造によるメンテナンス低減 　リモートプラズマ構成による、基盤を低温に保ってのスパッタリング ■枚葉処理 　ステップカバレージの向上 　クラスターツールによる複合成膜 ■優れた直進性 　直進性の高いイオンビームにより、均一な膜厚での成膜が可能。 ステップカバレッジの優れた成膜