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PLAD-250E PLDシステムはエキシマレーザ(KrF,650mJ,10Hz)を用います。 AOVでは光軸も据付調整を協力致します。
PLAD-261PG PLDシステムはエキシマレーザとの制御により自動成膜(レーザショット数、ターゲット切替等々)を簡易に行えます。 独自のSiC式回転基板加熱により、基板面上で850度以上の加熱が行えます。 ターゲットは1inch径を6個有し、自転およびプログラム式公転により、ターゲット上の照射が均一になる様に補正されます。
PLD(Pulsed Laser Deposition)法はPVD(物理気相蒸着)法として他の手法では行えない材料、条件化で使用できる特長を持っています。
高温超伝導・強誘電体・半導体・FPD等様々な分野に薄膜作製技術は応用されています。 PLD(Pulsed Laser Deposition)法はPVD(物理気相蒸着)法として他の手法では行えない材料、条件化で使用できる特長を持っています。 Nd:YAGレーザは装置コストが廉価であること、金属系ターゲット等、集光(エネルギー密度)が必要な場合に適しております。
高温超伝導・強誘電体・半導体・FPD等様々な分野に薄膜作製技術は応用されています。 PLD(Pulsed Laser Deposition)法はPVD(物理気相蒸着)法として他の手法では行えない材料、条件化で使用できる特長を持っています。 中でもエキシマレーザはもっとも適したレーザ発振器のひとつであり、高出力が特長です。
PLAD-271PE PLDシステムはエキシマレーザとの制御により自動成膜(レーザショット数、ターゲット切替等々)を簡易に行えます。 独自の回転式SiC基板加熱により、基板面上で850度以上の加熱が行えます。 ターゲットは20mm径を6個有し、自転およびプログラム式公転により、ターゲット上の照射が均一になる様に補正されます。
PLAD-250R PLDシステムはエキシマレーザとの制御により自動成膜(レーザショット数、ターゲット切替等々)を簡易に行えます。 独自のSiC式回転基板加熱により、基板面上で800度以上の加熱が行えます。 ターゲットは1 inch径を6個有し、自転およびプログラム式公転により、ターゲット上の照射が均一になる様に補正されます。
PLAD-150Y PLDシステムはNd:YAGレーザ(266nm,120mJ,10Hz)を用います。 YAGレーザによるPLDは容易に集光が得やすいことが特徴です。 金属材料などもアブレートしやすいですが、逆にドロップレット発生が起きやすくもあります。 AOVでは光軸も据付調整を協力致します。
PLAD-161 PLDシステムは基板搬送機構を簡易にすることで廉価ながらもメインチャンバーを大気に開放することなく、基板交換が行えます。
PLAD-221-Y PLDシステムはNd:YAGレーザを用いたPLDです。 独自の回転式SiC基板加熱により、基板面上で850度以上の加熱が行えます。 ターゲットは20mm径を4個有し、自転および公転により、ターゲット上の照射が均一になる様に補正されます。
検査、搬送、位置決め工程などの自動化に。提案例の紹介資料進呈
輸送品質を高める衝撃検知ツール。12/20までサンプル進呈
吊り下げ搬送の自由度UP。後退や加速が容易なコンベアの資料進呈