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『PermSRAM』は、標準ロジックプロセスで製造可能な OTP不揮発メモリIPコアです。 0.18um世代から先端の28nm世代とその先まで、幅広いプロセスに対して 1回のみ書込が可能な不揮発メモリを提供。 64bラッチタイプから1MByteのコード格納用メモリまで、 様々な不揮発メモリコア用途に合わせたカスタマイズが可能です。 【特長】 ■世界最小クラス面積 ■リバース・エンジニア耐性 ■低電圧書込 ■テスト回路搭載 ■車載グレード(150℃保証可) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『TwinBit』は、標準ロジックプロセスで製造可能な不揮発メモリIPコアです。 0.18um世代から先端の16nm世代とその先まで、幅広いプロセスに対して 10万回以上の書き換えが可能。 従来のFlashメモリのような複雑なメモリセル構成を必要とせず、 少ない製造コストで高性能の不揮発メモリを提供いたします。 64bラッチタイプから2MByteのコード格納用メモリまで、 様々な不揮発メモリコア用途に合わせたカスタマイズも可能です。 【特長】 ■世界最小クラスのメモリセルサイズ ■高速、低電力読み出し動作 ■低電圧書込動作 ■テスト回路内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
マスクの追加やプロセスの変更なしに 標準CMOSプラットフォームに搭載可能な 高速・高密度の不揮発メモリマクロ 【特徴】 ○複数回書き換え可能なMTP不揮発メモリとして最小のマクロサイズを提供 ○SRAM同様のインターフェースで、SRAM並の高速な リード/ライト時間で使用する事が可能 ○65nm以降の最新のCMOSプロセス世代までの幅広いプロセスをカバー ○150度C以上の高温データ保持特性 ○テスト容易性を持つ ●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。
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