『E1セット』は、開発段階のプリント基板におけるEMIの影響を 試験するためのEMCツールセットです。 当製品を使用すれば、バーストとESD干渉の原因を迅速に 特定することが可能。 これにより、干渉の原因を解決するための適切な対策を設計することが できると同時に、講じた対策の有効性をテストすることもできます。 【セット内容(一部)】 ■SGZ 21：Burst Generator ■S21：Optical Sensor(10Mbps) ■BS 02：Magnetic Field Source ■BS 04DB：Magnetic Field Source ■BS 05D：Magnetic Field Source ■BS 05DU：Magnetic Field Source ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『S2セット』は、アクティブ及びパッシブ近傍界プローブが含まれている製品です。 これらは、干渉下にある電子デバイスやアセンブリ内の非反応性ファースト トランジェントパルス磁場を測定。 DUTに問題を引き起こすバースト及びESD干渉の影響を分析できます。 磁界プローブは、LWL接続を介して測定信号をSGZ21バーストジェネレータの 光受信機に送信します。 【セット内容(一部)】 ■MSA 02：Magnetic Field Probe (active) ■05K black：Probe Head (MSA 02用) ■05R white：Probe Head (MSA 02用) ■05U orange：Probe Head (MSA 02用) ■MS 101：Magnetic Field Probe ■MS 102U：Magnetic Field Probe ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う『P1セット(磁界・電界パルス)』について、ご紹介いたします。 ミニバーストフィールドジェネレータシリーズは特に小型で使い易く、 開発段階の電子アセンブリの弱点の特定に好適。 先端でバースト、或いはESDフィールドを生成するので、先端の放電チップを 試験対象の機器(プリント基板など)の表面に近づけ少しずつ動かしていくと、 弱点部分がパルスフィールドに反応し誤動作が発生します。 【セット内容】 ■P11：Mini Burst Field Generator(B) ■P12：Mini Burst Field Generator(B) ■P21：Mini Burst Field Generator(E) ■ケース ■ユーザーマニュアル ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う『P23セット(電界パルス)』について、ご紹介いたします。 P23の干渉パルスは、テスト対象のリセット、クロック、クォーツ、或いは それぞれの信号線等のデジタルIC入力を通り、結合。 結合はバーストフィールドジェネレータ内部で容量的に行われます。P23ミニバースト フィールドジェネレータの先端を、DUTのピンまたは信号線上にセットしてください。 P23の先端は非常に薄く、微細な構造の検査に適しています。 【セット内容】 ■P23：Mini Burst Field Generator(E) ■ケース ■ユーザーマニュアル ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

「P11tミニバーストフィールドジェネレーター」は、干渉耐性解析のための 開発ツールの1つです。 先端から生成されるファーストトランジェント磁場は、アセンブリ上の 弱い箇所を検出することが可能。 TTLトリガー入力機能があり、DUT又は外部制御ロジックからの信号を使用して、 磁界干渉を同期させることができます。 【セット内容】 ■P11t：Mini Burst Field Generator(B,Trigger) ■SMB-BNC：1mケーブル ■NT FRI EU：電源ユニット ■ケース ■ユーザーマニュアル ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

「P12tミニバーストフィールドジェネレーター」は、開発段階での アセンブリの弱点を検出できる製品です。 TTLトリガー入力機能があり、DUT又は外部制御ロジックからの信号を 使用して、磁界干渉を同期させることが可能。 これにより、特定の動作条件下で複雑な回路の正確な干渉耐性解析が 可能になります。 【セット内容】 ■P12t：Mini Burst Field Generator(B,Trigger) ■SMB-BNC：1mケーブル ■NT FRI EU：電源ユニット ■ケース ■ユーザーマニュアル ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『HR-R 8-1セット(磁場プローブ)』には、HR-R 8-1 B 磁界プローブが 含まれている製品です。 このプローブは、最大40GHzの磁場測定を可能にします。 HR-R 8-1のプローブヘッドは、IC、回路基板構造及びコンポーネントの 測定を行い、高周波磁場の位置を特定できる様に設計されています。 【セット内容】 ■HR-R 8-1：Near-field probe～40GHz B-field ■CS-ESA：ViewerChipScan-ESA Viewer Software/USB ■HR-R char：HR-R 8-1 個別データ ■ユーザーマニュアル ■ケース ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『HR-E 40-1セット』は、HR-E 40-1電界プローブが含まれている PCBエミッション近傍界プローブタイプの製品です。 このプローブは、最大40GHzの電界測定を可能にします。 HR-E 40-1のプローブヘッドは、個々の導体トラック上を直接測定できるので、 電界発生源の位置を特定することができます。 【セット内容】 ■HR-E 40-1：E-Field Probe～40GHz ■CS-ESA：Viewer ChipScan-ESA Viewer Software/USB ■HR-E char：HR-E 40-1 個別データ ■ユーザーマニュアル ■ケース ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『100Series EMCプローブ』は、EMCの問題を特定し、解決するべく 設計された製品です。 100A,100B,100Cは、磁界用ループプローブで、100Dは電界用プローブで スタブ形状。 ループプローブは、静電シールドが施されており、コモンモード信号から 絶縁されます。その結果、優れた再現性を実現します。 【特長】 ■さまざまな周波数で好適な感度と空間分解能が得られる複数のループサイズ ■ループプローブに施された静電シールドにより、コモンモード 　ピックアップが排除 ■狭いスペースにアクセスできるコンパクトなプローブ形状 ■最大3GHzまでの感度校正済み(6GHzを超える使用も可能) ■放射を行い、電磁感受性試験用のフィールド生成も可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う『PBS1セット(磁界・電界プローブ)』について、 ご紹介いたします。 セットには、磁界(H field)と電界(E field)を測定するための4本の磁界プローブと 1本の電界プローブ、そしてそれぞれの標準校正データが含まれます。 プローブには、機械的損傷や環境の影響から保護するために高品質の絶縁層が 設けられており、安全に発振器や電力線の測定ができます。 【特長】 ■干渉源の特定 ■干渉電界強度の推定 ■遮蔽およびフィルタリング対策の検証 ■障害のあるコンポーネントの特定 ■干渉に過度に敏感な回路の検出 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う『PBS2セット(磁界・電界プローブ・プリアンプ)』について、 ご紹介いたします。 セットには、磁界(H field)と電界(E field)を測定するための4本の磁界プローブと 1本の電界プローブ、そしてそれぞれの標準校正データが含まれ、高性能プリアンプが付属。 EMC対策のためのモニタリングはもちろんの事、信号発生器と併用して イミュニティテスト用のフィールドを生成する事も可能です。 【特長】 ■干渉源の特定 ■干渉電界強度の推定 ■遮蔽およびフィルタリング対策の検証 ■障害のあるコンポーネントの特定 ■干渉に過度に敏感な回路の検出 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『SX1セット(磁界・電界プローブ)』は、3本のパッシブ磁界プローブと 専用ケーブル1本が含まれているセットです。 開発プロセス中の電子アセンブリ及びIC上の1GHz～10GHzの高クロック 周波数帯の電界及び磁界を測定することが可能。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、 また電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【セット内容】 ■SX-E 03：E-Field Probe 1GHz～10GHz ■SX-B 3-1：H-Field Probe 1GHz～10GHz ■SX-R 3-1：H-Field Probe 1GHz～10GHz ■SMA-SMA：1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『SX-R 20-1セット(磁界プローブ)』は、開発プロセス中の最大20GHzの 高周波磁場を測定するためのパッシブ磁界プローブと、専用ケーブル1本が 含まれているセットです。 SX-R 20-1のプローブヘッドは、電子アセンブリに近づけた位置での測定が可能。 ICピン、導電パス、コンポーネントやコネクタ上での検査を行うことができ、 干渉源を特定することができます。 【セット内容】 ■SX-R 20-1：H-Field Probe 1GHz～20GHz ■SMA-SMA：1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『XF1近傍界プローブセット』は、4本の磁界プローブと、1本の電界プローブ、 そして専用ケーブル1本が含まれているセットです。 開発プロセス中の電子アセンブリ上の30MHz～6GHzの電界と磁界を 測定することが可能。 またそのインピーダンスマッチングにより、RFタイプのプローブよりも低い 周波数帯における感度は低いです。 【セット内容(一部)】 ■XF-R 400-1：H-Field Probe 30MHz～6GHz ■XF-R 3-1：H-Field Probe 30MHz～6GHz ■XF-B 3-1：H-Field Probe 30MHz～6GHz ■XF-E 10：E-Field Probe 30MHz～6GHz ■XF-U 2.5-1：H-Field Probe 30MHz～6GHz ■SMA-SMA：1mケーブル ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『RF1近傍界プローブセット』は、4本のパッシブ磁界プローブと 専用ケーブル1本が含まれているセットです。 当セットのプローブヘッドは、電子アセンブリに非常に近づけた位置での 測定が可能。 ICピン、導電パス、コンポーネントやコネクタ上での検査を行うことができ、 干渉源を特定することができます。 【セット内容】 ■RF-K 7-4：H-Field Probe 30MHz～1GHz ■RF-U 2.5-2：H-Field Probe 30MHz～3GHz ■RF-R 3-2：H-Field Probe 30MHz～3GHz ■RF-E 10：E-Field Probe 30MHz～3GHz ■SMB-BNC：1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『RF2近傍界プローブセット』は、4本のパッシブ磁界プローブと 専用ケーブル1本が含まれているセットです。 開発プロセス中の電子アセンブリ上の30MHz～3GHzの電界と磁界を 測定可能。 当セットのプローブヘッドは、電子アセンブリ上のRF磁界干渉源の 位置を段階的に特定することができます。 【セット内容】 ■RF-R 400-1：H-Field Probe 30MHz～3GHz ■RF-R 50-1：H-Field Probe 30MHz～3GHz ■RF-U 5-2：H-Field Probe 30MHz～3GHz ■RF-B 3-2：H-Field Probe 30MHz～3GHz ■SMB-BNC：1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『RF3ミニセット』は、分解能1mm未満の2本のパッシブ磁界プローブと 専用ケーブル1本が含まれているセットです。 開発プロセス中の電子アセンブリ上の30MHz～3GHzの電界と磁界を 測定することが可能。 レイアウトおよびコンポーネント範囲における磁場及び妨害電流を詳細に 測定できる様に設計された特別な小型ヘッドが付いています。 【セット内容】 ■RF-B 0.3-3：H-Field Probe mini 30MHz～3GHz ■RF-R 0.3-3：H-Field Probe mini 30MHz～3GHz ■SMB-BNC：1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『RF4-Eプローブセット』は、比較目的で30MHz～3GHz(1.5GHz)の 周波数範囲で電界を測定するパッシブ電界プローブが2本含まれている セットです。 このプローブは、電界分布の分析、モジュール上の結合メカニズムの検出、 信号リードのスイッチングエッジと電源システムのRF電圧の評価を 目的として設計。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【セット内容】 ■RF-E 02：E-Field Probe 30MHz～1.5GHz ■RF-E 05：E-Field Probe 30MHz～3GHz ■SMB-BNC：1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『LF1近傍界プローブセット』は、4本の磁界プローブと専用ケーブルが 含まれており、開発プロセス中の電子デバイスから放射される長波、中波、及び 短波周波数を測定することができるセットです。 当セットのプローブヘッドは、ICピンから大型コンポーネント、アセンブリ上の 電磁干渉源を段階的に検出できる様に設計。 50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続できます。 【セット内容】 ■LF-R 400：H-Field Probe 100kHz～50MHz ■LF-B 3：H-Field Probe 100kHz～50MHz ■LF-U 2.5：H-Field Probe 100kHz～50MHz ■LF-U 5：H-Field Probe 100kHz～50MHz ■SMB-BNC：ケーブル1m ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『HR-R 8-1磁場プローブ』は、最大40GHzの周波数帯をカバーする パッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドは特殊な減衰システムによってケーブルシールドから 切り離されています。 当製品は、ICピンや導体トラック上で磁場測定を直接行うことができ、 磁場発生源を特定できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：9x9mmプローブヘッド ■対応周波数帯：～40GHz ■コネクタ：2.92mm female, Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『HR-E 40-1電界プローブ』は、最大40GHzの周波数帯をカバーする パッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドは特殊な減衰システムによってケーブルシールドから 切り離されています。 さらに、プローブには電流減衰器が含まれ、50Ωインピーダンス整合 ネットワークが内蔵されています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：チップ状(内部電極までの距離0.5mm) ■対応周波数帯：～40GHz ■コネクタ：2.92mm female, Jack ■分解能：0.2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『SX-R 3-1磁界プローブ』は、小型のプローブヘッドを備えている パッシブ近傍界プローブです。 非常に高い分解能でRF磁界を測定する事ができ、小さいコンポーネントでも 干渉源として検出。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ3mmプローブヘッド ■対応周波数帯：1GHz～10GHz ■コネクタ：SMA female, Jack ■分解能：1mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『SX-R 20-1磁界プローブ』は最大20GHzの周波数範囲をカバーする パッシブ近傍界プローブです。 非常にコンパクトなプローブヘッドを備えているので、トレース、 コンポーネント、IC上の非常に小さいRF磁界の発生源を特定することが可能。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また 電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：6x6mmプローブヘッド ■対応周波数帯：1GHz～20GHz ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う『SX-B 3-1(H field磁界プローブ)』について、ご紹介いたします。 内部コイルはシャフトに対して直角に配置されているので、測定対象の アセンブリまたはデバイスに対し、プローブヘッドを垂直に使用すると、 正しく測定可能。 プローブヘッドが非常に小さいので、コンポーネントに挟まれたアクセスが 困難なプリント基板等へ上からアプローチする事ができます。 測定対象物から90°方向に放射される磁力線を検出し、横から入る 磁力線は検出しません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ4mmプローブヘッド ■対応周波数帯：1GHz～10GHz ■コネクタ：SMA female, Jack ■分解能：2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『SX-E 03電界プローブ』はパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの下部電極面は約4x4mmで、導電パス、プリント回路基板の 単一コンポーネント等の小さい電界発生源を特定することが可能。 プローブヘッドの下部面を測定対象物に直接配置し、放出される電界を 検出します。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：4x4mmプローブヘッド ■対応周波数帯：1GHz～10GHz ■コネクタ：SMA female, Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『XF-R 400-1磁界プローブ』は、ヘッドサイズが直径25mmの パッシブ近傍界プローブです。 感度が高く、アセンブリやデバイスの周囲最大10cmの範囲の測定に好適。 先端直径が大きい程、感度が高く、より広い領域の磁場を 検出することができます。また、XFシリーズの磁界プローブには 50Ωの終端抵抗が内蔵されています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ25mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female, Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『XF-R 100-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、最大3cm離れた アセンブリやデバイス、ケーブルを測定する様に設計された製品です。 広帯域でなおかつ高い直線性により、干渉源となる大きなコンポーネントの 特定が可能。 そのヘッドサイズ、感度、分解能において、「XF-R 400-1」と「XF-R 3-1」 プローブの中間の性能です。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：10x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：Φ10mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『XF-R 3-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 ICピンやICケース、導電パス、デカップリングコンデンサ、EMCコンポーネント 周囲の領域など、アセンブリ上のRF磁界を直接高分解能検出。 「XF-R 100-1」及び「XF-R 400-1」プローブと同じ基本構造ですが、当製品は はるかに高い分解能を持っています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ3mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：1mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『XF-B 3-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 内部コイルはシャフトに対して直角に配置されているので、測定対象の アセンブリまたはデバイスに対し、プローブヘッドを垂直に使用すると、 正しく測定することが可能。 例えば、コンポーネントに挟まれたアクセスが困難なプリント基板等へ 上からアプローチする事ができます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ4mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『XF-U 2.5-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、導電パス、 SMDコンポーネント、ICピン内のRF電流を選択的に検出する様に 設計された製品です。 プローブヘッドには、幅約0.5mmの磁気的にアクティブなギャップがあり、 測定時には、プローブヘッドのギャップを測定対象物上に配置。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、 また電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ4mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：0.5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『XF-E 04s』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの下部電極面は約5x5mmで、ICの表面上で分離された 電界を検出。 小さな正方形の電極面をコンポーネントやプリント基板上に配置、 保持する事により、電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：5x5mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『XF-E 09s』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの電極は、ICの表面上で分離された電界を検出。 アセンブリ上0.5～10mmの距離内でよく機能します。 「XF-E 04s」プローブと同じ基本構造ですが、小さな正方形の電極面を 回路基板上のコンポーネントやプリント基板上に配置、保持する事により、 電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：10x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『XF-E 10』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの電極幅は約0.2mmで、幅0.1mmの導電パスや単一ICピン等の 最小電界源でも位置を特定することが可能。 「XF-E 04s」及び「XF-E 09s」プローブと同じ基本構造ですが、高い分解能を 持っています。電極面を電界強度が高い測定対象物上に直接配置する 必要があるため、広範囲の測定には適していません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：0.5x2mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：0.2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『RF-R 400-1』磁界プローブは、ヘッドサイズが直径25mmのパッシブ 近傍界プローブです。 感度が高く、アセンブリやデバイスの周囲最大10cmの範囲の測定に好適。 先端直径が大きい程、感度が高く、より広い領域の磁場を検出することが できます。「RF-R 50-1」および「RF-R 3-2」と同じ基本構造です。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ25mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『RF-R 50-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、最大3cm離れた アセンブリ、デバイス、またはケーブルを測定する様に設計されている 製品です。 当製品のプローブヘッドは、直径10mmのため、直径25mmの 「RF-R 400-1」と比較して感度は低くなりますが、高分解能です。 50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続できます。 RFシリーズの磁界プローブには50Ωの終端抵抗は内蔵されていません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ10mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『RF-R 3-2』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 ICピンやICケース、導電パス、デカップリングコンデンサ、EMCコンポーネント 周囲の領域など、アセンブリ上のRF磁界を直接高分解能検出。 「RF-R 50-1」及び「RF-R 500-1」プローブと同じ基本構造ですが、当製品の 分解能ははるかに高くなります。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ3mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：1mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『RF-R 0.3-3』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 小型のプローブヘッドを備えているので、非常に高い分解能で磁場を 測定する事ができ、小さいコンポーネントでも干渉源として検出。 また、狭い場所へのアプローチも可能にします。ICピンやICケース、導電パス、 デカップリングコンデンサ、EMCコンポーネント周囲の領域など、 アセンブリ上のRF磁界を直接高分解能検出します。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ2.0mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『RF-U 5-2 』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、広範囲の導電パス、 ケーブル、コネクタ、電子部品等の磁場を検出できる様に設計された製品です。 プローブはカップリングクランプのように機能。プローブヘッドを コンポーネント上に直接配置すると、プローブに対し、真っ直ぐ、 又は横から入る他のソースからの磁力線も検出。 50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：6x6mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『RF-U 2.5-2』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、導電パス、 SMDコンポーネント、ICピン内のRF電流を選択的に検出する様に 設計された製品です。 プローブヘッドには、幅約0.5mmの磁気的にアクティブなギャップがあり、 測定対象物上に直接配置して測定。 「RF-U 5-2」と同じ基本構造ですが、より小さいエリアの検出に適しています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ4mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMBmale,Jack ■分解能：0.5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『RF-K 7-4』磁界プローブは、パッシブ近傍界プローブで、プローブヘッドに 逆方向に入る半円形の磁力線を検出する製品です。 半円形の磁力線は、線状、棒状構造の部品、ケーブルコネクタ、そして 平面構造部品の端に沿って発生。 プローブはカップリングクランプのように機能します。重なり合った 均一磁場は検出しません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：6x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～1GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『RF-E 02』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 バス構造、大型コンポーネント、または電源の表面上で分離された 電界発生源を検出。 プローブヘッドの下部電極面は約2x5cmで、コンポーネントから1～2cmの 距離内でよく機能します。「RF-E 05」及び「RF-E 10」プローブと 同じ基本構造です。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：23x53mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～1.5GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『RF-E 03』電界プローブはパッシブ近傍界プローブで、Langer社製 スキャナー用として設計されている製品です。 プローブヘッドの下部電極面は約4x4mmで、導電パス、プリント回路基板の 単一コンポーネント等の小さい電界発生源を特定することが可能。 プローブヘッドの下部面を測定対象物に直接配置し、放出される電界を 検出します。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：4x4mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『RF-E 04』電界プローブはパッシブ近傍界プローブで、Langer社製 スキャナー用として設計された製品です。 「RF-E 03」及び「RF-E 09」プローブと同じ基本構造。 アセンブリ上0.5～10mmの距離内でよく機能します。 小さな正方形の電極面をコンポーネントやプリント基板上に配置、 保持する事により、電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：5x5mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『RF-E 05』電界プローブはパッシブ近傍界プローブで、Langer社製 スキャナー用として設計された製品です。 プローブヘッドの電極幅は約0.5mmで、クロックされたラインやICピン、及び 小型コンポーネントの電界を正確に特定。 回路基板上のコンポーネントやプリント基板上に配置、保持する事により、 RF電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：1x8mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：0.6mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『RF-E 09』電界プローブはパッシブ近傍界プローブで、Langer社製 スキャナー用として設計された製品です。 プローブヘッドの電極は、ICの表面上で分離された電界を検出。 アセンブリ上0.5～10mmの距離内でよく機能します。 小さな正方形の電極面を回路基板上のコンポーネントやプリント基板上に配置、 保持する事により、電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：10x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。