【仕様】 ○出力周波数　5～13 MHz ○動作温度範囲　-40～+85℃ ○電源電圧　+5.0 V ○消費電流　起動時 800 mA 　　　　　　定常時 300 mA ○周波数温度特性　±10　±4.6 ○エージング　-50～+50 ○周波数可変範囲　±0.5 ○出力レベル　CMOS ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

【仕様】 ○出力周波数　10～32 MHz ○動作温度範囲　-40～+85℃ ○電源電圧　+5.0 V　+3.3 V ○消費電流　起動時 800 mA　1250 mA 　　　　　　定常時 300 mA　370 mA ○周波数温度特性　±50 ○エージング　-100～+100 ○周波数可変範囲　±1.0 ○出力レベル　CMOS ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

【仕様】 ○出力周波数　100 MHz ○動作温度範囲　-40～+85℃ ○電源電圧　+12.0 V ○消費電力　起動時 400 mA　定常時 125 mA ○周波数温度特性　±200 ○エージング　-1.25～+1.25 ○周波数可変範囲　±1.0 ○出力レベル　Sine wave ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

【仕様】 ○出力周波数　5～20 MHz ○動作温度範囲　-40～+85℃ ○電源電圧　+5.0 V ○消費電流　起動時 960 mA　定常時 400 mA ○周波数温度特性　±30 ○エージング　-500～+500 ○周波数可変範囲　±0.5 ○出力レベル　Sine wave ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

【仕様】 ○出力周波数　10～140 MHz ○電源電圧　+5.0 V ○消費電流　起動時 600 max. mA　定常時 300 max. mA ○エージング　-150～+150 ○周波数可変範囲　±0.8 ○出力レベル　CMOS ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

【仕様】 ○出力周波数　10 MHz ○電源電圧　+5.0～+12.0 V ○消費電力　起動時 4.0～7.2 max. W　定常時 1.5～3.0 max. W ○エージング　±100 max. ○周波数可変範囲　±0.4 to ±1.2 ○出力レベル　CMOS　LVCMOS 　　　　　　　Sine Wave 7dBm±2dB ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

【仕様】 ○出力周波数　10 MHz ○電源電圧　+3.3～+5.0 V ○消費電力　起動時 3.0～3.3 max. W　定常時 1.3 max. W ○エージング　±100 max. ○周波数可変範囲　±2.4 min. ○出力レベル　CMOS　LVCMOS 　　　　　　　Sine Wave 5dBm±2dB　Sine Wave 7dBm±2dB ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

【仕様】 ○出力周波数　8 to 30 MHz ○電源電圧　+3.3～+5.0 V ○消費電力　起動時 3.0 max. W　定常時 1.0～1.3 max. W ○エージング　±500 max.　±100 max. ○出力レベル　CMOS　LVCMOS ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

【仕様】 ○出力周波数　8 to 30 MHz ○電源電圧　+3.3～+5.0 V ○消費電力　起動時 3.0 max. W　定常時 1.0～1.3 max. W ○エージング　±500 max.　±100 max. ○周波数可変範囲　±0.8to ±10 ○出力レベル　CMOS　LVCMOS ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

【仕様】 ○出力周波数　12.8, 19.2, 19.44, 20.38, 38.88 MHz ○電源電圧　+3.3 V ○消費電力　起動時 2.2 max. W　定常時 1.0 max. W ○周波数温度特性　±30 max. ○エージング　±300 max. ○周波数可変範囲　±1.5 to ±4.0 ○出力レベル　LVCMOS ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。