【仕様】 ■ハード構成：ロードロック式　ロードロック室　エッチング室各1室構成 　　　　　　　※量産用　マルチチャンバタイプもラインアップ ■処理基板：～φ8インチウェハ形状品（矩形基板対応可能） ■対応基板：Si、石英、セラミックス（アルミナ、AlTiC等）ガラス、 　　　　　　圧電体（LT，LN）等 ■エッチング対象：基板Si、石英、 　　　　　　　　　各膜種 Si系(SiO2、SiN)・有機膜　等 ■対象プロセス：Si深掘り、SiN犠牲層形成、各種薄膜エッチング等 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【仕様】 ■ハード構成：ロードロック式　ロードロック室　エッチング室各１室構成 　　　　　　　※量産用　マルチチャンバタイプもラインアップ ■処理基板：～φ８インチウェハ形状品（矩形基板対応可能） ■基板材質：Si、ガラス、化合物半導体基板（GaAS、サファイア）等 ■エッチング対象：各膜種 Al系（AlSi、AlSiCu）・Cr等 　　　　　　　　：各基板 GaAS・サファイア等　　　　　　　　　 ■対象プロセス　：各種薄膜エッチング等 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

標準仕様 ステージ寸法：２５０ｍｍ□　エッチング方式：ＲＩＥ　ＣＦ系ガス標準 シンプルな機構でＲＩＥ／ＤＰモード切替可能 ステージ温度制御（水冷／加熱）選択可能　 ステージ寸法大型化（最大５００ｍｍ□）対応可能　

３～８インチウェハ対応の大気搬送型ＣｔｏＣシステム。 平行平板型ＲＩＥ装置を基本とし、電極切替によるマルチモードプラズマによりソフトモードプラズマ処理を実現 ＣＦ系、Ｏ２、Ａｒ、Ｈ２などのガス系とプラズマモードの組み合わせにより差的なプロセスを選択可能。 オプションで両面処理機能・３００ｍｍウェハや矩形基板の処理に対応 プロセス室を追加したハイスループットタイプもラインナップ。

２５０ｍｍ□の処理ステージに均一なプラズマを実現したプラズマクリーニング装置。 従来機「ＰＯＥＭ」よりイオンエネルギーを向上。より強いイオン衝撃とＯ２イオンでＤＬＣを除膜。ドライプロセスで基板ダメージと廃液処理の不要なクリーンプロセスを実現。 プラズマエッチングで蓄積されたマルチガスプロセスで多様なＤＬＣ膜の除去に対応するとともに微細加工モールドの作成にも実績。ＤＬＣだけでなく有機膜エッチングや石英の微細エッチングにも対応可能なプラズマクリーニング装置

実装基板用のプラズマクリーニング装置「POEM]及び量産用プラズマクリーニング装置のハードを応用、クリーニング用ガス及びプロセスレシピをバージョンアップ。 豊富なレシピによる目的別クリーニングプロセスを実現。 水素ガス単体によるプラズマクリーニングの高還元性クリーニングに加え、Ａｒ＋Ｈ２の混合ガスによる物理洗浄／還元洗浄のＭIＸクリーニング。 Ｏ２クリーニングによる有機物除去後H2プラズマクリーニングによる表面還元クリーニング（表面酸化層除去）のSTEPクリーニング。 プラズマのイオンによる物理洗浄効果と水素還元能力を両立。 従来に無い効果をもつ新ドライ洗浄装置