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JSWアフティ株式会社

住所東京都八王子市兵衛2-35-2
電話042-632-8840
  • 公式サイト
最終更新日:2023/01/23
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1~5 件を表示 / 全 5 件

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固体ソースECRプラズマ成膜装置『AFTEX-8000シリーズ』

均一性に優れた多層膜を形成できる!全自動多層膜形成装置

AFTEX-8000シリーズは、1つの成膜室に傾斜配置したECRプラズマ源を2基搭載し、高品質な光学薄膜などを最大8インチ径の基板上に均一性に優れた多層膜を形成できる、C to C枚葉式全自動多層膜形成装置です。 高活性・高密度ECR(Electron Cyclotron Resonance)プラズマ源を用い、プラズマ引き出し部にターゲットを配置することによって固体ソースによるECRプラズマ成膜を実現しています。 CVDのような危険なガスを用いる必要がないため排ガス処理の必要もなく、地球環境に優しい成膜技術です。 【特長】 ■高絶縁膜特性 ■多層膜 ■緻密・平坦膜 ■低ダメージ ■長期安定稼働 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体製造装置

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ECRプラズマ成膜装置『AFTEX-6000シリーズ』

複数材料の多層膜が成膜可能!高品質・高結晶性の薄膜形成ができる成膜装置

『AFTEX-6000シリーズ』は、低圧で高密度のECRプラズマ流と、スパッタ粒子を 直接反応させることにより、低温・低ダメージで高品質の薄膜を形成します。 ECRプラズマ源2基を搭載し、全自動搬送・成膜ができ、多層膜形成に最適。 【特長】 ■広範囲な膜種による多層成膜 ■高屈折率制御が可能 ■高速で成膜が可能 ■低温・低ダメージで高品質、高結晶性 ■基板および成長面のクリーニング効果 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体製造装置

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原子層堆積装置『AFALD-8』

優れた段差被覆性と精密な膜厚制御!高品質な成膜が可能

『AFALD-8』は、複雑な三次元構造に原子レベルで膜厚制御された成膜が できる原子層堆積装置です。 ミリ秒単位で高品質な薄膜成膜が可能なため、低ダメージで安定した成膜を 実現。 操作性に優れたソフトウェアや、自由度の高いオプション構成ができます。 【特長】 ■段差被覆性 ■高精密な膜厚制御 ■ピンホールフリー ■低ダメージ ■原料コスト削減 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他機械要素
  • その他半導体製造装置

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固体ソースECRプラズマ成膜装置『AFTEX-2300』

低温で高い結晶性薄膜を得ることが可能!価格を抑えたプラズマ成膜装置

『AFTEX-2300』は低価格ながらマイクロ波分岐結合型ECRイオン源 を搭載するとともに、ロードロック機構、ターボ分子ポンプを装備した 高性能な固体ソースECRプラズマ成膜装置です。 10-30eVの低エネルギーに制御された高密度イオンの照射下で 薄膜が成長するため、原子レベルの平滑性で緻密・高品質な薄膜が 形成されます。 イオンアシスト効果により、高温の加熱を行うことなく酸化膜、 窒化膜などの化合物薄膜を形成できるほか、低温で高い 結晶性薄膜を得ることも可能です。 【特長】 ■固体ソース ECRプラズマ成膜装置の基本機能のみを装備 ■自動成膜装置にくらべて低価格 ■長期安定稼働を実現 ■クリーンな成膜環境 ■各種インターロック機構採用 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体製造装置

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固体ソースECRプラズマ成膜装置『AFTEX-9000シリーズ』

低温プロセス 高屈折率制御 高速反応性成膜 緻密・平坦膜

『AFTEX-9000シリーズ』は、低温・低ダメージで高品質なナノ薄膜形成を 実現可能な装置です。 基板サイズ8インチ対応、ECRプラズマ源を3基まで搭載可能で、これらを 同時に稼動することにより生産性を大幅に向上することができます。 ナノ薄膜形成には是非当社製の装置をお使い下さい。 【特長】 ■8インチ対応のECR成膜モジュールを最大3基接続可能な  本格的マルチチャンバ方式の C to C枚葉式全自動システム ■3基のECRプラズマによる同時成膜可能で高い生産性を実現 ■レシピによる搬送フロー、成膜チャンバ、成膜プロセスの設定が可能で、  任意の材料の多層膜を全自動で成膜可能 ■基板傾斜回転と低圧成膜により、優れた均一性を実現 ■装置内分光システム(オプション)で膜厚・屈折率分散等の  測定が可能 ■固体ソースからの原料粒子と高活性なECRプラズマ流を  直接反応させるため、高価な除害設備が不要で環境に優しい ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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