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株式会社新陽

設立1998年7月15日
資本金1000万
従業員数7名
住所大阪府大阪市天王寺区空堀町11-5
電話06-4304-1800
  • 公式サイト
最終更新日:2015/05/29
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新陽の製品・サービス一覧

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1~9 件を表示 / 全 9 件

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各種単結晶類

各種単結晶類全般の素材供給と精密加工を行っております。

株式会社新陽の主要製品である『各種単結晶類』のご紹介です。 酸化物単結晶をはじめ、フッ化物単結晶など、各種単結晶類全般の 素材供給と精密加工を行っております。 その他、特殊スペックにも対応させて頂きます。 【対応素材】 ■酸化物単結晶 ・SrTiO3、LaAlO3、MgO、TiO2、Al2O3、SiO2、LiNbO3(LN)、  SLN LiTaO3(LT) 他 ■フッ化物単結晶 ・MgF2、CaF2、BaF2、LiF 他 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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ファインセラミックス

SiC、BN等の素材の焼成から成形までを一貫して行っております。

株式会社新陽の主要製品である『ファインセラミックス』のご紹介です。 アルミナ(Al203)、ジルコニア(Zr02)、AIN、SiC、BN等の素材の 焼成から成形までを一貫して行っております。 【対応素材】 ■アルミナ ■ジルコニア ■AIN ■SiC ■BN等 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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タングステン・モリブデン

環境負荷が小さく高温耐性に優れています!

株式会社新陽の主要製品である『タングステン・モリブデン』のご紹介です。 環境負荷が小さく高温耐性が優れる等の特長から、結晶成長や レアメタル溶解用の坩堝やその周辺パーツ用の素材として広く使用されています。 【特長】 ■環境負荷が小さく高温耐性が優れる ■レアメタル溶解用の坩堝など、その周辺パーツ用の素材として  広く使用されている ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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GaN(窒化ガリウム,ガリウムナイトライド)

次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。

株式会社新陽の主要製品である『GaN(窒化ガリウム,ガリウムナイトライド)』 のご紹介です。 シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍(3.42eV)広く、絶縁破壊電圧も 約10倍(3.0MV/cm)という特性を持っております。 Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1600Vに達します。 また、青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生でき、各種光デバイスにも 使用され、SiCと共に次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。 【特長】 ■シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍広い ■絶縁破壊電圧も約10倍 ■耐圧1600V ■青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生 ■各種光デバイスにも使用される ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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シリコンの素材供給と精密加工

国内大手パワーデバイスメーカーに採用実績!小径加工から微細加工まで各種精密加工に対応!

Φ2インチ~Φ18インチまでのパワーデバイス用プライムウェハーの製造を中心に、構造用部品材料としてΦ450mmまでの単結晶大口径シリコンインゴット・プレートの供給と加工も行っております。 【特長】 ■インゴット・ウェハー・エピタキシャルウェハー・パーツとして供給可能 ■Φ450mmまでの単結晶大口径シリコンインゴット・プレートの供給・加工が可能(構造用部品材料) ■パーツはスライス、ラッピング、エッチング、ポリッシングから小径加工、微細加工まで各種精密加工可能 ※詳しくはカタログをダウンロード、またはお問合せください。

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石英ガラス・硬質ガラス製品

国内外の好適な素材を選定し、短納期・低価格にて高品質な製品を供給!

株式会社新陽の主要製品である『石英ガラス・硬質ガラス』のご紹介です。 お客様の用途に合わせ、国内外の好適な素材を選定し、短納期・低価格にて 高品質な製品を供給致します。 【製品例】 ■研削・研磨加工品  ・各種サセプター・リング類、各種光学研磨品 他 ■溶接加工品 ・洗浄用角槽・ボート類 他 ■旋盤加工品 ・各種反応管から大型チャンバー類 他 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)

小さなオン抵抗!発光ダイオードの基板としても使用されています。

株式会社新陽の主要製品である『SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)』 のご紹介です。 シリコンに比べてバンドギャップが約3倍(3.26eV)広く、熱伝導率も 3倍以上(4.9W/cm・k)、絶縁破壊電圧は約10倍(2.8MV/cm)という特性を持ち、 Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。 パワーMOSFET,IGBT,ショットキー・バリア・ダイオード(SBD)等に好適。 半導体の他、発光ダイオード(LED)の基板としても使用されております。 【特長(SiCパワー半導体素子)】 ■小さなオン抵抗 ■短いスイッチング時間 ■高温動作 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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サファイア(Sapphire)

スマートフォンのカバーガラス等、幅広い用途が期待されています。

株式会社新陽の主要製品である『サファイア(Sapphire)』のご紹介です。 単結晶サファイアは、高純度のアルミナ(Al2O3ウェハー)を人工的に 成長(単結晶化)させた結晶体です。 モース硬度9を持ち、石英以上の高融解点(2.053℃)と耐プラズマ特性、 さらに光学的・化学的・電気的にも優れた特性を併せ持ちます。 LED用GaN(窒化ガリウム)成長基板を中心に、各種基板の他、大型単結晶 サファイア(Max.φ370mm)を安価に量産出来る様になった事も有り、 各種機構用部品にも幅広い用途が期待されており、スマートフォンの カバーガラス等にも多用される様になっております。 キロプロス、HEM、CZ他、各種製法のインゴット及びウェハーを、 お客様の用途、スペックに合わせて素材の提案から精密加工までを行っております。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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シリコン(Silicon)

半導体材料として幅広い分野で使用されています!

株式会社新陽の主要製品である『シリコン(Silicon)』のご紹介です。 Φ2インチ~Φ6インチまでのパワーデバイス用プライムウェハーの 製造を中心に、構造用部品材料としてΦ450mmまでの単結晶大口径シリコン インゴット・プレートの供給と加工も行っております。 パーツはスライス、ラッピング、エッチング、ポリッシングから マシニング加工、微細加工まで各種精密加工承ります。 【特長】 ■資源が豊富 ■高純度化し易く硬くて丈夫 ■安定した酸化膜が形成でき、高集積化し易い ■結晶を大型化し易い ■半導体材料として幅広い分野で使用されている ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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