インフィニオンの先進のトレンチMOSFET技術を代表する製品！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V」について、 ご紹介いたします。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減します。 ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されて いるため、並列接続に優れたデバイスです。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ■200Vでクラス最高レベルの性能 ■ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせ ■並列接続時の電流共有の改善 ■豊富なパッケージ展開 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【主な利点】 ■低導通損失 ■低スイッチング損失 ■EMIを改善した安定動作 ■並列化の必要性を低減 ■並列動作時の優れた電流分配 ■環境に配慮した製品 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
【対象アプリケーション】 ■モータ制御 ■SMPS ■太陽光発電 ■バッテリーマネジメントシステム(BMS) ■オーディオ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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企業情報
当社は、ドイツに本社を置く半導体ブランド、 インフィニオン テクノロジーズの日本法人です。 インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、 製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。
