ウェハ - 企業ランキング(全40社)
更新日： 集計期間:2025年07月16日〜2025年08月12日
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| 会社名 | 代表製品 | ||
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| 製品画像・製品名・価格帯 | 概要 | 用途/実績例 | |
| SiCウェハーとは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種で、SiCとは珪素と炭素の化合物である「炭化珪素」のことです。 より高度な半導体デバイスを製造するために生み出されたSiCウェハーは、従来のシリコンウェハーよりもはるかに優秀な特性を持っています。 例えば、絶縁破壊電界強度はシリコンウェハーに対して約10倍の能力があり、それだけ高い電界をかけても壊れにくいのです。 また、電子が存在することのできない「バンドギャップ」がシリコンウェハーの約3倍あるため、熱に強い機器の製造に役立っています。 回路が高温になると、電子は熱エネルギーによってバンドギャップを越えることができますが、広いバンドギャップを越えるためには多くの熱エネルギーが必要になるため、機器の動作上限温度を向上させるメリットがあるのです。 【特長】 ■シリコンに比べてバンドキャップ幅が約3倍広い ■様々なパワー半導体の他、RFアンプや発光ダイオード(LED)の基板としても使用 | 【用途】 ■パワー半導体や、高輝度のLED | ||
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エムシーオー株式会社
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- 代表製品
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SiCウェハー・SiCウエハー（６インチ/８インチ）
- 概要
- SiCウェハーとは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種で、SiCとは珪素と炭素の化合物である「炭化珪素」のことです。 より高度な半導体デバイスを製造するために生み出されたSiCウェハーは、従来のシリコンウェハーよりもはるかに優秀な特性を持っています。 例えば、絶縁破壊電界強度はシリコンウェハーに対して約10倍の能力があり、それだけ高い電界をかけても壊れにくいのです。 また、電子が存在することのできない「バンドギャップ」がシリコンウェハーの約3倍あるため、熱に強い機器の製造に役立っています。 回路が高温になると、電子は熱エネルギーによってバンドギャップを越えることができますが、広いバンドギャップを越えるためには多くの熱エネルギーが必要になるため、機器の動作上限温度を向上させるメリットがあるのです。 【特長】 ■シリコンに比べてバンドキャップ幅が約3倍広い ■様々なパワー半導体の他、RFアンプや発光ダイオード(LED)の基板としても使用
- 用途/実績例
- 【用途】 ■パワー半導体や、高輝度のLED
水晶ウエハー（角ウエハー・丸ウエハー）
- 概要
- 用途/実績例
石英ウエハー（角ウエハー・丸ウエハー）
- 概要
- 用途/実績例
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エムシーオー株式会社
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