汚染物質の少ないFZ法で製造された高品質・高純度・高抵抗のFZシリコンのご提供が可能です。
ガスドープFZシリコンは、単結晶の引き上げをドーパントガス中で行なう事によって、不純物をドーピングしたFZシリコンです。 弊社では高品質・高純度FZシリコンのご提供が可能です。 現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。 詳しくはお問い合わせください。 ★Prime Grade FZ ingot（即納可能） 納品時にはメーカーのCofCをおつけします。 仕様 方位: (1-1-1) ± 2 deg. 直径(mm) : 101,60 ± 0,20 長さ(mm) : 200 - 400 第一オリフラ(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg. 第二オリフラ(mm) : N.A. タイプ: N-type/Phosphorous ライフタイム(microsec) : 1000 抵抗値(ohm cm) 25°C. : 2032,00 抵抗値公差(ohm cm) : ±700,00 RRV [%] : N.A.
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基本情報
【主な仕様】 ガスでドーパントされたFZシリコンになります。 ○直径：50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm , 200mm 〇抵抗は数ohmから数千程度まで対応可能です ○結晶方位：＜100＞or＜111＞(直径による） ○伝導型（ドーパント）：P(Boron) or N(Phosphorus) ○抵抗率公差：抵抗率により異なります ○面内抵抗率分布：抵抗率により異なります ○キャリアライフタイム：抵抗率により異なります ○酸素・炭素濃度 ：＜2.0 × 10(16)atoms/cm3 程度 25枚もしくは在庫状況により小ロットから対応可能です。 ●詳しくはお問い合わせください。
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用途／実績例
【アプリケーション】 ○Power discrete, diode ○Automotive power devices ○MEMS 〇太陽電池 ●詳しくはお問い合わせください。
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企業情報
エナテックはシリコンウェーハ関連製品を多数取り扱っており、お客様の御要望に迅速、的確に対応いたします。 設立後40年有余年、Si分野を中心に半導体産業の一角を支えてまいりました。国内外のシリコンメーカー・加工メーカーの協力により、日本のみならず海外市場へも安定的にシリコン材料を供給しています。 半導体及び太陽電池製造メーカー等への評価用テストウェーハ・成膜ウェーハ販売(及び再生加工等の受託加工）を主とし、ダミーウェーハの分野においても、国内にSiの選別工程の倉庫を2箇所有し、お客様のニーズにお答えすべく様々な種類のウェーハをご紹介させて頂いております。 CZシリコンウェーハ以外にもFZシリコンウェーハ、SOIウェーハ、拡散ウェーハ、ＳｉＧｅ，ＧａＡｓ、InP、サファイア、ゲルマニウム、SiCウェーハ、半導体用中古装置、フェライトコア、酸化鉄、高純度化学物質等も取り扱っています。