小ロットからの対応可能です。特殊なエピ、多層エピなどにも出来るだけ対応いたします。
「エピウェーハ」 1. ディスクリートデバイス向けや IC powerデバイス向けに使用されております。 ＊直径: 100-200 mm ＊Epi層ドーパント: Boron 、Phosphorous ＊Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm ＊Epi厚: 1-150 um ＊Stacking fault: 10 /cm2 以下 ＊Thickness Uniformity: 1% ＊Resistivity Uniformity: 2.5%(抵抗0.1-20 Ohm.cm) / 3%(抵抗>20 Ohm.cm) ＊Min25枚より 「エピ受託加工」 1000ohm cmを超えるようなEpi抵抗の高いウェーハや、Epi層が厚いウェーハなども対応させていただきます。 仕様により多層エピ成膜なども対応可能です。 特 徴 ・実験用に小ロット（数枚～25枚）から可能 ・サブウェーハご指定も可能（お客様よりサブウェーハを支給していただく事も可能です） ・エピ厚さ公差：6-10%以内 (エピ厚さにより変わります） ・抵抗均一性公差：5-15%以内 (抵抗により変わります）
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基本情報
【特徴】 ○実験用に小ロット（25枚）から可能 ○サブウェーハご指定も可能 ○エピ厚さ公差：6-10%以内(エピ厚さにより変わります） ○抵抗均一性公差：5-15%以内(抵抗により変わります） 【エピ受託加工】 ○直径：76、100、125、150mm ○ドーパント：Boron, Phosphine, Arsenic ○エピ抵抗率：0.1-800 ohm cm ○エピ厚さ：3-150μ 「多層EPIウェーハ加工」 ＊材料支給も対応可能です。 ＊数枚から加工可能です。 ＊基板Si/GaN/InPなど数層積むことも可能です。 ＊膜厚等の仕様によりバッファー層の有無なども違って参りますのでお問い合わせください。 「SiGe Epiウェーハ」 ＊濃度と膜厚によりますが様々に対応可能です。 ＊直径はMAX8インチまで対応可能です。 ＊Ge濃度：20%, 60%などご希望の濃度をご指定下さい ＊基板にSiやSOIも使用可能です。 ＊多層膜にも対応可能です。 ●詳しくはお問い合わせ下さい。
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企業情報
エナテックはシリコンウェーハ関連製品を多数取り扱っており、お客様の御要望に迅速、的確に対応いたします。 設立後40年有余年、Si分野を中心に半導体産業の一角を支えてまいりました。国内外のシリコンメーカー・加工メーカーの協力により、日本のみならず海外市場へも安定的にシリコン材料を供給しています。 半導体及び太陽電池製造メーカー等への評価用テストウェーハ・成膜ウェーハ販売(及び再生加工等の受託加工）を主とし、ダミーウェーハの分野においても、国内にSiの選別工程の倉庫を2箇所有し、お客様のニーズにお答えすべく様々な種類のウェーハをご紹介させて頂いております。 CZシリコンウェーハ以外にもFZシリコンウェーハ、SOIウェーハ、拡散ウェーハ、ＳｉＧｅ，ＧａＡｓ、InP、サファイア、ゲルマニウム、SiCウェーハ、半導体用中古装置、フェライトコア、酸化鉄、高純度化学物質等も取り扱っています。