描画装置のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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描画装置 - 企業ランキング(全9社)

更新日： 集計期間:2025年08月06日〜2025年09月02日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

会社名 代表製品
製品画像・製品名・価格帯 概要 用途/実績例
ハイデルベルグ・インストルメンツ株式会社 ハイデルベルグ・インストルメンツ株式会社
レーザー直接描画装置『DWL 66＋』
レーザー直接描画装置『DWL 66＋』

5000万円 ~ 1億円

 【描画モードの一例】 ■描画モード：HR(High Resolution Mode 0.3um) ■最小アドレスグリッド（nm）：5 ■最小描画サイズ（μm）：0.3 ■エッジラフネス（3σ、nm）：50 ■CD均一性（3σ、nm）：60 ■重ね合わせ精度（3σ、nm）：500 【用途】 ■小ロットのマスク作成 ■マスクレス露光、レーザー直描、レーザー直接描画、2.5Dグレースケール露光 ■半導体、FPD、センサー、MEMS、 マイクロ流路、マイクロオプティクス、導波路、DOE、ホログラムなどのパターニング ■その他マイクロストラクチャ製作が必要なアプリケーション
高速レーザー描画装置『VPG⁺ シリーズ』
高速レーザー描画装置『VPG⁺ シリーズ』

5000万円 ~ 1億円

 【描画性能】 ■最小描画サイズ [μm] ： 0.75 ■エッジラフネス [3σ、nm] ： 40 ■CD均一性 [3σ、nm] ： 65 ■重ね合わせ精度 [3σ、nm] ： 225 ■対応基板サイズ　　　　　　：～最大1,400mm角 【用途】 ■マスク作成やウエハーなどへのパターニング ■マスクレス露光、直描、直接描画 ■半導体、FPD、センサー、MEMS、 マイクロ流路、マイクロオプティクス、導波路などのパターニング ■その他マイクロストラクチャ製作が必要なアプリケーション
レーザー描画装置『DWL 2000 GS』シリーズ
レーザー描画装置『DWL 2000 GS』シリーズ

5000万円 ~ 1億円

 【装置性能】　＊バイナリ描画時、Write Mode1選択時 ■最小描画サイズ [μm] ： 0.5 ■最小 L&S [HP, μm] ： 0.7 ■ラインエッジラフネス [3σ、nm]： 40 ■CD均一性 [3σ、nm] ： 60 ■レジストレーション [3σ、nm]： 200 【用途】 ■厚膜レジストへの2.5Dグレイスケール露光（マイクロレンズ、フレネルレンズ、DOE、ホログラム印刷、セキュリティ用途、など） ■マスクおよびウエハーその他基板への露光 ■半導体、センサー、MEMS、 MOEMS, マイクロ流路、導波路、および微細構造を必要とするその他すべてのアプリケーション向けのパターニング
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  1. ハイデルベルグ・インストルメンツ株式会社 ハイデルベルグ・インストルメンツ株式会社
    代表製品
    レーザー直接描画装置『DWL 66＋』レーザー直接描画装置『DWL 66＋』
    概要
    【描画モードの一例】 ■描画モード：HR(High Resolution Mode 0.3um) ■最小アドレスグリッド（nm）：5 ■最小描画サイズ（μm）：0.3 ■エッジラフネス（3σ、nm）：50 ■CD均一性（3σ、nm）：60 ■重ね合わせ精度（3σ、nm）：500
    用途/実績例
    【用途】 ■小ロットのマスク作成 ■マスクレス露光、レーザー直描、レーザー直接描画、2.5Dグレースケール露光 ■半導体、FPD、センサー、MEMS、 マイクロ流路、マイクロオプティクス、導波路、DOE、ホログラムなどのパターニング ■その他マイクロストラクチャ製作が必要なアプリケーション
    高速レーザー描画装置『VPG⁺ シリーズ』高速レーザー描画装置『VPG⁺ シリーズ』
    概要
    【描画性能】 ■最小描画サイズ [μm] ： 0.75 ■エッジラフネス [3σ、nm] ： 40 ■CD均一性 [3σ、nm] ： 65 ■重ね合わせ精度 [3σ、nm] ： 225 ■対応基板サイズ　　　　　　：～最大1,400mm角
    用途/実績例
    【用途】 ■マスク作成やウエハーなどへのパターニング ■マスクレス露光、直描、直接描画 ■半導体、FPD、センサー、MEMS、 マイクロ流路、マイクロオプティクス、導波路などのパターニング ■その他マイクロストラクチャ製作が必要なアプリケーション
    レーザー描画装置『DWL 2000 GS』シリーズレーザー描画装置『DWL 2000 GS』シリーズ
    概要
    【装置性能】　＊バイナリ描画時、Write Mode1選択時 ■最小描画サイズ [μm] ： 0.5 ■最小 L&S [HP, μm] ： 0.7 ■ラインエッジラフネス [3σ、nm]： 40 ■CD均一性 [3σ、nm] ： 60 ■レジストレーション [3σ、nm]： 200
    用途/実績例
    【用途】 ■厚膜レジストへの2.5Dグレイスケール露光（マイクロレンズ、フレネルレンズ、DOE、ホログラム印刷、セキュリティ用途、など） ■マスクおよびウエハーその他基板への露光 ■半導体、センサー、MEMS、 MOEMS, マイクロ流路、導波路、および微細構造を必要とするその他すべてのアプリケーション向けのパターニング
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