欠陥検査装置 - 企業ランキング(全19社)
更新日: 集計期間:2025年06月04日〜2025年07月01日
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企業情報を表示
会社名 | 代表製品 | ||
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製品画像・製品名・価格帯 | 概要 | 用途/実績例 | |
【主な仕様】(型式:LE-W1) 検出方式 :レーザー散乱方式、反射方式、位相シフト方式 検出欠陥 :パーティクル、スクラッチ、ピット、ヒロック、ステイン等 対象素材 :Si、SiC、GaN、LT、サファイア等 対象サイズ :2、4、6、8インチ (その他、別途ご相談) 検査時間 :約90秒/枚(4インチ、10μmピッチ、搬送時間含む) レーザー波長:405nm 検査ピッチ :5~30μm 結果出力 :マップ、種類別グラフ、リスト、サイズ分類 機器寸法 :W 1800×D 990×H 1490(mm) | |||
![]() ウェハ表面欠陥検査装置(画像式)
応相談 |
【検出】 方 式: 微分干渉顕微鏡を用いた画像解析方式 検出サイズ: 0.3um(対物レンズ10倍使用時) 【対象基板】 種 類: 透明体を含む各種基板 サ イ ズ: 4inch 、6inch、8inch、別途相談に応じます 【装置サイズ】 外形寸法 : W1,700 x D1,000 x H1,935 (mm) 質 量: 約800kg | ||
【検出】 方 式: レーザー散乱方式および正反射方式 検出サイズ: PSL50nm(オプション追加で40nm)相当の欠陥 【対象基板】 種 類: 透明体を含む各種基板 サ イ ズ: 2~12inch、形状など別途相談に応じます 【装置サイズ(8インチ)】 外形寸法 : W1,790 x D1,340 x H2,000 (mm) 質 量: 約1200kg | |||
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- 代表製品
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ウェーハ表面欠陥検査装置『Laser Explorer』
- 概要
- 【主な仕様】(型式:LE-W1) 検出方式 :レーザー散乱方式、反射方式、位相シフト方式 検出欠陥 :パーティクル、スクラッチ、ピット、ヒロック、ステイン等 対象素材 :Si、SiC、GaN、LT、サファイア等 対象サイズ :2、4、6、8インチ (その他、別途ご相談) 検査時間 :約90秒/枚(4インチ、10μmピッチ、搬送時間含む) レーザー波長:405nm 検査ピッチ :5~30μm 結果出力 :マップ、種類別グラフ、リスト、サイズ分類 機器寸法 :W 1800×D 990×H 1490(mm)
- 用途/実績例
ウェハ表面欠陥検査装置(画像式)
- 概要
- 【検出】 方 式: 微分干渉顕微鏡を用いた画像解析方式 検出サイズ: 0.3um(対物レンズ10倍使用時) 【対象基板】 種 類: 透明体を含む各種基板 サ イ ズ: 4inch 、6inch、8inch、別途相談に応じます 【装置サイズ】 外形寸法 : W1,700 x D1,000 x H1,935 (mm) 質 量: 約800kg
- 用途/実績例
ウェハ表面欠陥検査装置(レーザー式)
- 概要
- 【検出】 方 式: レーザー散乱方式および正反射方式 検出サイズ: PSL50nm(オプション追加で40nm)相当の欠陥 【対象基板】 種 類: 透明体を含む各種基板 サ イ ズ: 2~12inch、形状など別途相談に応じます 【装置サイズ(8インチ)】 外形寸法 : W1,790 x D1,340 x H2,000 (mm) 質 量: 約1200kg
- 用途/実績例
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