【分析事例】C60を用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布評価 公開しました
一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
アルカリ金属であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。
今回、スパッタイオン源にC60(フラーレン)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動が抑えられることがわかりました。この測定を行うことで、SiO2膜中の不純物について定性・定量分析を行うことが可能です。
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TOF-SIMSによるSiO2中アルカリ金属の濃度分布評価が常温で可能になりました。詳しいデータはリンク先をご覧ください!
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