Talos F200E導入のお知らせ

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します

■解決する力 　知識と技術でかいけつに導くコンサルティング 　スピード対応でお客様スケジュールを支援 ■つきとめる力 　故障個所をピンポイントし可視化する技能 　深い洞察力と高度かつ繊細な試料加工技術 ■特化した設備 　最高180℃での液槽熱衝撃試験 　パワー半導体に必須のパワーサイクル試験

• ダイオード
• トランジスタ

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 　各種サンプル形態に対応します。 　Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ 　IR-OBIRCH解析：～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応 　エミッション解析：～2kV　まで対応 　＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 　予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し 　リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能

• トランジスタ
• 分析機器・装置
• 受託解析

TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。

TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、 あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の 解析を行う事ができます。

• その他半導体
• 受託解析
• その他受託サービス

Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！

当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 受託解析
• 解析サービス

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応！

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 受託解析
• 解析サービス

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！

株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 半導体検査/試験装置
• 受託解析
• 解析サービス

ソフトマテリアルの断面作製も実現！Auto Slice＆Viewで3D再構築も可能です！

『FIB-SEM Helios 5 UC』の導入により、11月よりサービス開始予定！ 今までより短納期、確実なフィードバックをご提供いたします。 パワーデバイスやIC、太陽電池や受発光素子といった半導体デバイスや MLCCなどの電子部品からソフトマテリアルといった多岐にわたる硬軟材料の 断面観察・分析を高スループットで実現。 最大100nAの質の良いビームにより、大面積を高速加工できるほか、 FIBを低加速で仕上げることによりダメージ層の少ない高品質の試料作製が 可能です。 【Helios 5 UCの主な特長】 ■高速・大面積FIB加工 ■低加速仕上げによるダメージ層低減 ■Cryo-FIB加工 ■3Dイメージング ■TEM試料加工の完全自動化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 分析機器・装置

TEM・STEMの分解能が向上！4本の検出器でEDS分析が可能になるなど性能が大幅に強化

当社では、透過型電子顕微鏡システム FEI製「Talos F200E」を導入します。 従来機と比べTEM・STEMの分解能が向上し、4本の検出器でEDS分析が可能に なるなど性能が大幅に強化されます。 また、ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算する、ドリフト補正 フレーム積算(DCFI)なども搭載しております。 【仕様(抜粋)】 ■加速電圧：200kV、80kV ■TEMインフォメーションリミット：≦0.11nm ■STEM分解能：≦0.14nm ■ドリフト補正フレーム積算(DCFI) ・ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

• その他顕微鏡・マイクロスコープ
• 透過電子顕微鏡

強力な性能のバッテリー充電器－－NPB Series 登場！！！ 鉛蓄電池およびリチウムイオン電池に対応し、さまざまなバッテリーデバイスを満たす高機能な製品です。 充電範囲が10.5〜60.8Vで調整可能で、充電電流（定格電流50〜100％）も自由に調整可能です。 さらに、LED機能が備え、充電器の状態はLEDの色と状態により、本体状態を瞬時に判断できます。 その他も様々な機能が搭載しております。 詳しい仕様や特徴につきましてはPDF資料をご覧いただくかお気軽にお問い合わせください。

ポンプの吸引揚程とは何ですか？なぜポンプの選択において重要なのでしょうか？ 液体ダイアフラムポンプのソリューションをお探しの方にとって吸引揚程は重要な考慮事項です。しかし吸引揚程とは何であり、なぜそれほど重要なのでしょうか？

コンガテック（congatec）は、Kontron AG のモジュール製品事業の取得を発表します。 これには、デッゲンドルフ（Deggendorf）に拠点を置き、標準化コンピューター・オン・モジュールのパイオニアである JUMPtec GmbH や Kontron America Modules LLC、Kontron Asia Embedded Design Sdn. Bhd が含まれます。 この買収により、コンガテックは標準化されたコンピューター・オン・モジュールにおける、世界的なプレゼンスとマーケットリーダーシップをさらに強化します。 プレスリリースの全文はこちら：https://www.congatec.com/jp/congatec/press-releases/article/computer-on-module-market-leader-invests-in-com-pioneer/

窓辺の総合インテリアメーカー、トーソー株式会社（本社：東京都中央区／代表取締役社長：八重島真人）は、6 月 11 日（水）にラジオ NIKKEI「経営トップに聞く！強みと人材戦略」にゲスト出演しましたのでお知らせします。 番組コーナー名：「経営トップに聞く！強みと人材戦略」 放送メディア：ラジオ NIKKEI 第１ 放送日時：2025 年 6 月 11 日（水）11 時 35 分〜12 時 05 分 放送内容は過去の番組アーカイブからご聴取いただけます。詳細は番組ウェブサイトをご覧ください。 ラジオ NIKKEI「経営トップに聞く！強みと人材戦略」 https://www.radionikkei.jp/tsuyomi/20250611.html ＊音声は、リンク先ページ右側「Apple Podcasts」または「Spotify」から 6 月 11 日放送分をお聴きいただけます。

窓辺の総合インテリアメーカー、トーソー株式会社（本社：東京都中央区／社長：八重島真人）は、使わない時は吊りポールを取り外すことができ、設置シーンを選ばない新しい室内物干し「ランドリーバーLB-１」を２０２５年７月１４日（月）より全国で販売いたします。 現代のライフスタイルの変化に合わせ、「室内干し」に対するニーズが高まるなか、インテリアになじむデザイン性と機能性の両立を実現した製品です。 【新製品概要】 ランドリーバーLB-１New