Talos F200E導入のお知らせ

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します

■解決する力 　知識と技術でかいけつに導くコンサルティング 　スピード対応でお客様スケジュールを支援 ■つきとめる力 　故障個所をピンポイントし可視化する技能 　深い洞察力と高度かつ繊細な試料加工技術 ■特化した設備 　最高180℃での液槽熱衝撃試験 　パワー半導体に必須のパワーサイクル試験

• ダイオード
• トランジスタ

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 　各種サンプル形態に対応します。 　Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ 　IR-OBIRCH解析：～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応 　エミッション解析：～2kV　まで対応 　＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 　予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し 　リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能

• トランジスタ
• 分析機器・装置
• 受託解析

TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。

TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、 あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の 解析を行う事ができます。

• その他半導体
• 受託解析
• その他受託サービス

Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！

当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 受託解析
• 解析サービス

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応！

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 受託解析
• 解析サービス

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！

株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 半導体検査/試験装置
• 受託解析
• 解析サービス

ソフトマテリアルの断面作製も実現！Auto Slice＆Viewで3D再構築も可能です！

『FIB-SEM Helios 5 UC』の導入により、11月よりサービス開始予定！ 今までより短納期、確実なフィードバックをご提供いたします。 パワーデバイスやIC、太陽電池や受発光素子といった半導体デバイスや MLCCなどの電子部品からソフトマテリアルといった多岐にわたる硬軟材料の 断面観察・分析を高スループットで実現。 最大100nAの質の良いビームにより、大面積を高速加工できるほか、 FIBを低加速で仕上げることによりダメージ層の少ない高品質の試料作製が 可能です。 【Helios 5 UCの主な特長】 ■高速・大面積FIB加工 ■低加速仕上げによるダメージ層低減 ■Cryo-FIB加工 ■3Dイメージング ■TEM試料加工の完全自動化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 分析機器・装置

TEM・STEMの分解能が向上！4本の検出器でEDS分析が可能になるなど性能が大幅に強化

当社では、透過型電子顕微鏡システム FEI製「Talos F200E」を導入します。 従来機と比べTEM・STEMの分解能が向上し、4本の検出器でEDS分析が可能に なるなど性能が大幅に強化されます。 また、ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算する、ドリフト補正 フレーム積算(DCFI)なども搭載しております。 【仕様(抜粋)】 ■加速電圧：200kV、80kV ■TEMインフォメーションリミット：≦0.11nm ■STEM分解能：≦0.14nm ■ドリフト補正フレーム積算(DCFI) ・ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

• その他顕微鏡・マイクロスコープ
• 透過電子顕微鏡

株式会社ホトロンの新製品「車両カウントセンサー CCS3」が登場！ 本製品は、赤外線とレーダーを組み合わせた天井取付型センサーです。 1台で双方向の車両を安定して検知し、渋滞時や車両のすれ違いにも対応、大型駐車場の効率的な満空管理を実現します。 また、車両カウントに加えて出庫警告用途にも活用でき、駐車場の安全で円滑な運営に貢献します。 『特長』 ・赤外線とレーダーの併用により、雨天時の路面変化に対する検知性能を向上 ・防水・防塵性能IP67を備え、塩害地域でも活躍 ・専用アプリ（Android端末）から各種設定が可能。現在の設定がひと目でわかりやすく ・従来品「CCS2」とベース寸法が同一で、既存設備の入れ替えもスムーズ ※詳しくは製品情報、カタログダウンロード、もしくはお問い合わせください。

土木業界でよく聞く「NETIS」とは、国土交通省が運用する新技術情報提供システムです。 公共工事などで活用できる新しい工法や材料、製品、機械などの情報を公開し、新技術の活用を促進する役割があります。施工会社が現場改善につながる技術を探したり、新しい提案を検討したりする際にも活用されています。 木製軽量敷板「ハイパーCLT敷板」も、**国土交通省NETIS登録技術「TH-250021-A」**です。 CLTを活用した土木用の木製敷板で、仮設道路や搬入路、重機作業ヤードなどに使用できます。5×10版は約230kgと比較的軽量で、設置・撤去や移設がしやすいことも特徴です。 NETISを通じて新しい技術を知り、実際の現場で活用していく。ハイパーCLT敷板も、木製敷板という新しい選択肢を全国の土木現場へ広げていきます。

露出した給水・給湯配管をスッキリ収納！美観と保護を両立 給水・給湯用配管化粧カバー リフォームダクト ■製品詳細 □シングルタイプ「JD-N」 裸管にも保温材付きにも対応！一部ダクトとパーツは屋外で使用可能！ □ツインタイプ「TJD」 給水給湯管を同時に配管可能！ ★リフォームダクト選定ツールで選定も簡単！

特徴： ●Intel Nシリーズプロセッサ（N250/N150）搭載 ●ファンレス設計 ●超薄型コンパクト筐体（厚さ30mm） ●DDR5メモリ対応 ●デュアルディスプレイ出力 ●デュアルGigabit LAN搭載 ●豊富なM.2拡張スロット ●TPM 2.0搭載 ※メモリ、ストレージ、OSレスのモデルとなります

特徴： ●Intel Core プロセッサ シリーズ2搭載 ●150 × 270 × 225mmの省スペース設計 ●ECC対応DDR5メモリ搭載可能 ●豊富なストレージ構成 ●デュアル5G/4G通信拡張対応 ●NVIDIA RTX PRO 4000 Blackwell SFF対応 ●柔軟なPCIe拡張 ●産業用途向け広域電源入力 ●-20℃～45℃対応 ●TPM 2.0標準搭載 ※メモリ、ストレージ、OSレスのモデルとなります