TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。
TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、 あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の 解析を行う事ができます。
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基本情報
■エミッション発光にて特定した故障部位は FIBにより薄片化しながら観察します。 ■電子の透過力の大きい加速電圧400kVのTEMにて 故障部位を試料厚内に閉じ込めた状態での透過観察とFIB加工を繰り返し 最適な像を得ることができます。 ■TEM像倍率をあらかじめ校正しておき 2%以下の誤差で測長することもできます。
価格情報
内容により都度、御見積致します。
納期
※内容により異なります（特急対応あり）
用途／実績例
・特定部位のTEM観察（半導体故障部位への応用） ・元素分析、電子線回折（EDS、EELS、電子線回折像） ＊TFT不良解析、MOS FET不良解析など半導体製品の解析 ＊LSIの構造解析
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この製品に関するニュース（1）
企業情報
アイテスは、日本アイ・ビー・エム野洲事業所の品質保証部門を母体として１９９３年に設立されました。 日本アイ・ビー・エム野洲事業所での最先端電子部品の不良解析・信頼性保証で培った技術力を基盤にして、半導体、ディスプレイ、有機EL、太陽電池、電子部品の開発・製造を支える様々な商品、サービスを国内、海外のお客様へ提供してまいりました。
