インフィニオン、垂直統合型デバイスメーカーとして300mm GaN製造ロードマップの実現に向けて加速

窒化ガリウム(GaN)半導体の需要が拡大し続ける中、インフィニオンテクノロジーズ
はこの潮流をとらえ、GaN市場における垂直統合型デバイスメーカー(IDM)としての
地位を盤石なものにするための態勢を整えています。
当社は、300mmウエハーでのスケーラブルなGaN製造が順調に進んでいることを
発表しました。
また、シリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)、GaNという3つの半導体材料すべての
利用に習熟しています。
GaN半導体は、電力密度の向上、スイッチングの高速化、電力損失の低減によって、
スマートフォンの充電器、産業用ロボットやヒューマノイドロボット、太陽光
インバーターのような電子機器の設計の小型化、電力消費と発熱の低減を実現します。

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