【基礎知識】CMP用語集 「加工変質層」(damaged layer) - 3
★加工変質層(damaged layer) - 3
ところが、MOS構造デバイスの製作と同様に、1100~1200℃でwet酸素中で熱酸化を行うと、この乱れた層が再配列して熱酸化誘起積層欠陥を形成し、そのわずかな加工変質層の存在を明示できるようになった。積層欠陥の検出には、フッ酸と硝酸をベースにしたジルトルエッチング液やライトエッチング液が用いられる。なお、このような原子数層の乱れは、自然酸化膜に吸収される程度であれば、フッ酸を用いるエッチングや化学洗浄で除去でき、また、その範囲に入る研磨条件でメカノケミカルポリシング(あるいはCMP)が行われている。
このように、加工変質層の研究も表面のかなり微細な領域にまで進んでいる。これまでCMPによる変質層は、ウェーハのCMP面に直角な断面の格子分解電子顕微鏡像からはほとんど認められない。CMPは化学作用が大きく寄与している証拠の一つといえる。
オーム社刊 精密工学会編 【半導体CMP用語辞典】から引用

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