貴社益々ご清栄のこととお慶び申し上げます。 平素は格別のご高配を賜りまして 厚く御礼申し上げます。 さて ニッタ・ハース株式会社は 2020年4月１日付で社名を下記の通り改称しましたのでお知らせいたします。 今後も お客様の必要とされる「最適表面の創造」を実現する研磨ソリューションを提供することで お客様での技術革新に貢献できるよう一層努力して参ります。 今後とも倍旧のご支援ご指導を賜りますようお願い申し上げます。 　　　　記 (新社名) ニッタ・デュポン株式会社　（和文社名） NITTA DuPont Incorporated　（英文社名） 社名変更日：2020年4月1日 所在地・連絡先の変更はございません。 以上

CMP(化学的機械研磨)の基礎について説明いたします。 ■ 意味・定義 CMP(Chemical Mechanical Polishing (※Planarizationとする場合もある))は、化学的機械研磨の意味です。 砥粒などの粒子による機械的な除去作用と加工液による化学的な溶去作用を組合わせた研磨手法で、極めて平坦な表面を得る精密加工技術。 ■ 目的 1. 平坦化(Planarization) ・半導体デバイスの信頼性・速度・歩留まり向上 ・リソグラフィーのフォーカスマージン確保による多層配線・微細化の実現 2. 鏡面加工(Polishing) ・ウェハーなどの表面をナノレベルの表面粗さに ・スクラッチやパーティクルなど表面欠陥の低減 ・歩留まり向上による低コスト化 以上のように半導体の配線形成工程や、シリコンウェーハやガラス基板などの鏡面加工に使われている技術ですが、半導体の後工程(実装)や電子部品など新しい分野でも検討が始まっている技術です。

CMPスラリーは、メーカー推奨に従い希釈してから使用する場合があります。 メーカーや製品仕様によって推奨条件や表現は様々ですので、十分に理解した上で使用を開始する必要があります。 ■希釈は、重量比か体積比か？ メーカーから希釈倍率の推奨がありますが、重量比か体積比によって比率が変わる場合がありますので注意が必要です。 例）スラリーA（比重1.38）を純水と希釈する場合 1) 重量3倍希釈：10kgのスラリーに対し、20kgの純水で調整 2) 体積3倍希釈：10L（=13.8kg)のスラリーに対し、20Lの純水で調整 ■希釈手順 CMPスラリーには特性を最大限にするよう設計が工夫されており、2液や3液といった梱包形態の製品も存在しています。 スラリーの安定性を担保するなどの理由で、メーカーから希釈手順が推奨されていることがあります。 例）2液性スラリー（A液・B液）と純水を希釈する場合 1) A液と純水を希釈する 2) 1)にB液を添加する メーカーや製品仕様によって様々なケースが考えられますので、詳しくはメーカーにお問い合わせされることをおすすめいたします。