ソフトパッド『H1000』

前回、研磨パッド表面の溝加工によってスラリーの拡散が変わることをご説明しました。 溝によるスラリーの拡散効果を可視的に検証した事例をご紹介します。 半導体用などでデファクトスタンダートとなっている研磨パッド「IC1000」に異なる溝加工を6種類サンプルとして準備。 ・Circular Groove(同心円溝) ・Perforated Groove(貫通穴溝) ・Radial Groove(放射溝) ・Spiral Groove(螺旋溝) ・XY Groove(XY溝) ・Acr Groove(円弧溝) 青色に着色した液体を同条件下で滴下すると、溝加工によって液体の拡散が異なることがよく分かります。同心円溝や螺旋溝はスラリーの保持性が高く、放射溝や円弧溝はスラリーの排出性が優れることが確認できます。 このように同じ研磨パッドでも溝加工によってスラリーの拡散が異なり、ウェーハなどワークに介入するスラリーの作用に影響しますので、溝加工の選定は大変重要です。 当社ではお客様でのプロセス条件やターゲットを考慮して、溝加工の選定のお手伝いもさせて頂きますので、ぜひご相談下さい。

CMPパッドを研磨装置の定盤に貼り付けする手順と要点をご紹介します。 ■ 作業手順 １）エタノール等の溶剤とワイプを使用してプラテン表面を十分に清掃して下さい。定盤の汚れはエアバブルの要因になります。 ２）ライナーを剥がして定盤の上にパッドを静かに置いてください。 ３）少量の純水をパッドに供給して下さい。 ４）円形のバレンを使用してパッドの中央を加圧して接着して下さい。 ５）定盤を5rpmで回転させながら外周に向かってゆっくりバレンを移動させてください。 ６）半径の1/2程度まで加圧が終わったら定盤を止めてください。 ７）加圧が終わった部分にエアバブルが無いか目視確認して下さい。 ８）エアバブルのチェックが終わったら純水を供給してパッドの濡れ状態を保ってください。 ９）もう一度、定盤を5rpmで回転させて接着作業を継続して下さい。 １０）加圧作業が終了したらもう一度エアバブルが無いか確認してください。その後ブラシとHPMJを使ってコンディショニングを行ってください。 ※推奨手順であり、その他の手順でも使用はできます。

CMPパッドの選定にあたり、構成要素のひとつである溝加工について説明いたします。 一般的に、CMPパッドの表面にはメーカー側で溝加工をして出荷される場合が多いです。 CMPパッドの表面に溝加工を施すことにより、以下の効果が期待されます。 1. 研磨スラリーの保持性、流動性の向上 2. ウェーハ面内均一性向上、研磨レートの向上 3. ウェーハの研磨パッド表面への吸着防止 4. 加工屑・反応生成物の排出 溝加工の主な仕様としては、XY直線溝、パーフォレーション溝（貫通穴）、同心円溝、などが一般的で、一部の製品ではこれらを組み合わせる事も可能です。 XY直線溝は、溝幅や溝ピッチなど様々な仕様を準備しております。 研磨装置や各プロセスなどお客様の条件にあわせて、最適な溝仕様を選定させて頂きますので、遠慮なくご相談ください。

シリコンウェーハは、ICやLSIといった半導体集積回路の支持基板となる重要な材料です。 その製造過程で研磨（ポリッシング）の工程があります。 この工程では、前の工程までにウェーハ表面に形成されたキズや不純物を除去したり、歪みのない高平坦なウェーハに加工します。 この工程で仕上げられると、ウェーハは全く歪みのない鏡面な表面になります。 詳細は以下URLリンクより、弊社コーポレートサイトもご参照ください。 ■ シリコンウェーハ研磨事例 Before CMPはAs Lappedの粗研磨が終了した状態のウェーハで、表面粗さはRa=1.57nmです。 多段プロセスのCMP加工により、表面粗さをRa=0.22nmに低減します。 ・ナノレベルの表面粗さを実現、鏡面化 ・スクラッチやパーティクルなどの表面欠陥の低減 ・歩留まり向上