【基礎知識】シリコンウェーハの加工プロセスと研磨事例

シリコンウェーハは、ICやLSIといった半導体集積回路の支持基板となる重要な材料です。
その製造過程で研磨(ポリッシング)の工程があります。
この工程では、前の工程までにウェーハ表面に形成されたキズや不純物を除去したり、歪みのない高平坦なウェーハに加工します。
この工程で仕上げられると、ウェーハは全く歪みのない鏡面な表面になります。
詳細は以下URLリンクより、弊社コーポレートサイトもご参照ください。
■ シリコンウェーハ研磨事例
Before CMPはAs Lappedの粗研磨が終了した状態のウェーハで、表面粗さはRa=1.57nmです。
多段プロセスのCMP加工により、表面粗さをRa=0.22nmに低減します。
・ナノレベルの表面粗さを実現、鏡面化
・スクラッチやパーティクルなどの表面欠陥の低減
・歩留まり向上


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シリコンウェーハの製造工程概要と、その過程におけるポリッシングの役割をご説明しております。