発泡ポリウレタンパッド『EXTERION(TM)』

前回、研磨パッド表面の溝加工によってスラリーの拡散が変わることをご説明しました。 溝によるスラリーの拡散効果を可視的に検証した事例をご紹介します。 半導体用などでデファクトスタンダートとなっている研磨パッド「IC1000」に異なる溝加工を6種類サンプルとして準備。 ・Circular Groove(同心円溝) ・Perforated Groove(貫通穴溝) ・Radial Groove(放射溝) ・Spiral Groove(螺旋溝) ・XY Groove(XY溝) ・Acr Groove(円弧溝) 青色に着色した液体を同条件下で滴下すると、溝加工によって液体の拡散が異なることがよく分かります。同心円溝や螺旋溝はスラリーの保持性が高く、放射溝や円弧溝はスラリーの排出性が優れることが確認できます。 このように同じ研磨パッドでも溝加工によってスラリーの拡散が異なり、ウェーハなどワークに介入するスラリーの作用に影響しますので、溝加工の選定は大変重要です。 当社ではお客様でのプロセス条件やターゲットを考慮して、溝加工の選定のお手伝いもさせて頂きますので、ぜひご相談下さい。

CMPパッドの選定にあたり、構成要素のひとつである溝加工について説明いたします。 一般的に、CMPパッドの表面にはメーカー側で溝加工をして出荷される場合が多いです。 CMPパッドの表面に溝加工を施すことにより、以下の効果が期待されます。 1. 研磨スラリーの保持性、流動性の向上 2. ウェーハ面内均一性向上、研磨レートの向上 3. ウェーハの研磨パッド表面への吸着防止 4. 加工屑・反応生成物の排出 溝加工の主な仕様としては、XY直線溝、パーフォレーション溝（貫通穴）、同心円溝、などが一般的で、一部の製品ではこれらを組み合わせる事も可能です。 XY直線溝は、溝幅や溝ピッチなど様々な仕様を準備しております。 研磨装置や各プロセスなどお客様の条件にあわせて、最適な溝仕様を選定させて頂きますので、遠慮なくご相談ください。

シリコンウェーハは、ICやLSIといった半導体集積回路の支持基板となる重要な材料です。 その製造過程で研磨（ポリッシング）の工程があります。 この工程では、前の工程までにウェーハ表面に形成されたキズや不純物を除去したり、歪みのない高平坦なウェーハに加工します。 この工程で仕上げられると、ウェーハは全く歪みのない鏡面な表面になります。 詳細は以下URLリンクより、弊社コーポレートサイトもご参照ください。 ■ シリコンウェーハ研磨事例 Before CMPはAs Lappedの粗研磨が終了した状態のウェーハで、表面粗さはRa=1.57nmです。 多段プロセスのCMP加工により、表面粗さをRa=0.22nmに低減します。 ・ナノレベルの表面粗さを実現、鏡面化 ・スクラッチやパーティクルなどの表面欠陥の低減 ・歩留まり向上

研磨は加工するワークの表面を平坦化あるいは鏡面化する技術です。 「研磨」といっても様々な加工の原理や方法が存在します。 ・化学的研磨：主に化学液のエッチング作用を利用して、ワーク表面の歪みを除去する手法。砥粒を使用しない。例：電解研磨など。 ・機械的研磨：砥石などの微細砥粒を保持した硬質工具による切削作用を利用して、ワークの平坦度または表面の鏡面を得る手法。例：グラインディング(研削)など。 ・化学的機械研磨：研磨液による化学的な溶去作用と、砥粒による機械的な除去作用を組合わせた複合プロセス。CMPに代表されるこの手法は半導体製造工程の平坦化加工に用いられていますが、もともとはシリコンウェーハの鏡面加工技術を応用した技術です。半導体デバイスでの製造工程には1千万分の1mmという原子レベルに達するほどの高精度が要求されています。 その他にも様々な研磨方式が存在していますが、ニッタ・ハースがCMP研磨材料を提供している化学的機械研磨は、もっとも緻密な超精密研磨のひとつです。