【2021年11月17日(水)～19日(金)】「INCHEM TOKYO 2021　化学とプロセス産業Week」出展のお知らせ

点検後も繰り返し使える反転型ラプチャーディスク。液体のみの用途にも対応可能【INCHEM TOKYO 2025に出展】

KUB型は、オイラー公式の座屈荷重計算法で破裂圧力が規定され、非常に堅牢かつ高性能な反転型ラプチャーディスクです。 材料の一部を脆弱化して製作されるラプチャーディスクと異なり、REMBE独自の高技術による座屈ピン方式を採用したことで、破裂層全面が精確に開口し、最小公差を実現しました。流体接触面は細菌等が付着しない平滑表面で、サニタリー用途にも適しています。誤取付や落下（1m程度の高さから落下）でも破損の心配がないほど堅牢です。 シール層と破裂層の二層構造で、流体接触面はシール性の高いダイアフラムが使用されているため、腐食性雰囲気にも使用可能です。最大98%*の運転圧力比を持ち、低圧から高圧、真空、脈動圧力に対応し、流体が気体、蒸気、液体、二相流のプロセスに使用可能です。過酷なプロセス条件下でも金属疲労に強く、液体のみの用途にも使用可能な特別な反転型ラプチャーディスクです。 取付や保守点検が簡単で、破裂圧力は締め付けトルクの影響を受けません。安全弁との併用も可能です。あらゆるプロセスに最適で、プラント全体で統使用されます。 *用途によって異なる場合があります。

• 配管材
• 空圧機器

気密性が高く、漏れにくい設計！安全弁の隔離用に好適な反転型ラプチャーディスク

『KUB V型』は、安全弁の入口の前にラプチャーディスクを設置することにより、 安全弁を腐食性または粘着性のプロセス媒体から保護します。 規定の破裂圧力の最大135%（※）の背圧に対する耐久性が認証済みで、 メンテナンスのために取り外す必要がなく、現場での安全弁のテストが可能。 通常運転時、プロセス媒体から安全弁が隔離されるため、安価な材料で 製造された安全弁が使用できます。 【特長】 ■安全弁の寿命及びアフターサービス間隔の長期化 ■安全弁の保守点検費用削減 ■安価な材料で製造された安全弁使用が可能 ■気密性が高く、漏れにくい設計 ※それぞれのアプリケーションによって異なります。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他機械要素

高い水準のサニタリー途に対応

KUBクリーンはサニタリーラプチャーディスクの分野で新基準を打ち立てました。KUBクリーンは漏れを完全になくし、耐久性に優れているので、サニタリー上申し分のない製品が実現します。 最も優れている点：KUBクリーンは既存のTri-Clampフランジシステムに簡単に取り付けることができるので、サニタリー設計のすべての要件を満たし、CIP及びSIPに最適です。シーリング膜の表面が滑らかで、シールが組込まれたTri-Clampフランジシステムに直接取り付けることができるので、生産中や洗浄サイクル中に汚れや生産の残り滓がこびりつくようなカッティングの溝、くぼみ、刻み目がありません。そのため、KUBクリーンは無菌及びサニタリー用途に理想的です。

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高度なCPL技術によるダウンタイムの最小化と卓越したパフォーマンス

IKB型は、様々な用途や幅広いプロセスに適しており、費用対効果に優れた反転型ラプチャーディスクです。プラント全体のニーズに合わせて、多様なソリューションを提供します。IKB型ラプチャーディスクは、圧力容器、配管システム、ガスシリンダー、リアクター等を過剰圧力から保護するために特別に設計されました。 IKB型は、REMBE独自開発の「コンツアー・プレシジョン・レーザーリング(CPL) 技術」を用いて製造された、唯一無二の反転型ラプチャーディスクです。この技術により、最も過酷な環境条件の下でも、最高の品質と正確な破裂作動制御が保証されています。 IKB型は、材料の結晶構造に影響を与えない精密サブリメーション(昇華)加工がフルボア開放の外周になされており、 破片飛散の無いディスク設計となっています。95％*の運転圧力比を持ち、過酷な高サイクル用途にも優れ、プラントの長寿命化を可能にします。 *用途によって異なる場合があります。

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低圧用途向け高性能

ODV型は、3層構造の引張型ラプチャーディスクで、主に低～中圧の用途に適した設計となっています。3層構造は、上部の破裂層（O）、シールメンブレン層（D）、そしてプロセスに面したバキュームサポート層（V）から構成されています。幅広いプロセス条件において、性能と耐久性が高く、費用対効果に優れたソリューションとなります。 正確なフルボア破裂開放のため、破裂圧力を定める重要な役割を持つ破裂層は、REMBE独自の製造プロセスに精密レーザー技術で製造されます。 ODV型は、幅広い業界のプロセス条件向けの、優れた圧力解放ソリューションです。 リリーフ圧が0.05 bar gの低さまで作動する条件に対応可能で、ガス、蒸気、液体、二相流の用途に適しています。シート角度30°で取付けられる引張型ラプチャーディスクODV型は、破片飛散の無い設計で、DN20～DN600 (3/4"-24")*の呼び径サイズで使用可能なため、様々なプロセス条件を満たす理想的なソリューションとなっています。 【用途】 ★発電所、タービン、コンデンサー、化学工業、石油化学工業、プロセス容器、化学リアクター、貯蔵タンク、精製所など

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破裂の高さが低く高性能

STAR型は破裂の高さが低く堅牢で、独自の星型開放パターンを持つ三層構造の高性能引張型ラプチャーディスクです。 STAR型は低～高圧に適し、広範なプロセスに対応しています。石油・ガス、化学、医薬品業界の必要なプロセスに対応し、STAR型の独特な構造により、他種のラプチャーディスクでは早期に破裂してしまうような過酷な運転環境下でも優れた性能と耐久性を発揮します。STAR型は長寿命で、交換頻度を少なくすることで、交換やダウンタイムにかかるコストを最小化します。 【ご使用のメリット】 ★ 堅牢、破裂の高さが低い設計 – 圧力循環または真空状態でも、優れた性能と長寿命を保証します ★ 優れた耐食性及び高い費用対効果 – 重要な役割を担う破裂層は、プロセス媒体に接触しないため、性能に影響を及ぼすことなく多種の材料使用可能で全体的なコスト削減になります ★ 独自の星型構造で破裂の高さが低い設計のため、容易な取付とホルダーコスト削減が可能です ★ たとえ高破裂圧力の下でも、破片飛散リスクが最小限です

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最先端のCPLテクノロジー活用でダウンタイム削減に貢献

SFD型（S＝Sublimated；昇華　FD＝Forward）は、様々なプロセス条件での使用に適した多用途ラプチャーディスクです。 REMBE独自開発の「コンツアー・プレシジョン・レーザーリング(CPL) 技術」を用いて製造され、機械的スコアリングが原因の早期破裂、スコア部の腐食、ピンホールのような一般的な産業上の懸念が、 CPL技術により払拭されます。想定外の問題が発生した場合、コストのかかるダウンタイムが生じる可能性があります。CPL技術によってラプチャーディスクは長寿命化され、最も過酷な環境条件の下でも、最高の品質と正確な破裂作動制御が保証されています。 【ご使用のメリット】 ★ 破裂高さの低い設計 – 安全弁保護に優れています ★ ガス、二相流、粘着媒体に適しているため、設置可能箇所数を最大限確保できます ★ 幅広いプロセス条件に対応可能 – 同一種類のラプチャーディスクの使用は、取付、仕入れ、保守点検の大幅な利益に繋がります ★ 精密レーザー技術による製造法により、機械的スコアリングによる早期破裂、スコア部の腐食、ピンホールが原因で起きるダウンタイムを削減します

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2-in-1ラプチャーディスク

二方向ラプチャーディスクZW型は、規定の過剰圧力の場合、一方向に開き、真空の場合、他方向に開きます。主として貯蔵タンクで、気体または液体を使ったプロセスで使用されます。ラプチャーディスクは、過剰圧力方向に80%(*)、真空方向に70%*の運転圧力比を許容します。 ZW型はオプションの破裂信号装置として近接センサーを内蔵することができます。ラプチャーディスクは二つある方向のうちの一つに破裂開口した場合、SNRが接続しているプロセス制御システムに破裂信号を送ります。 座屈ピンの反転型ラプチャーディスクKUB型の機能原理と3層構成の引張型ラプチャーディスクODV型を組み合わせることにより、1つのラプチャーディスクで2つの異なる圧力値に応答します。 * それぞれのアプリケーションによって異なります。

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引張型ラプチャーディスクCBS型インターモーダル輸送タンクコンテナーの保護用

CBS型ラプチャーディスクは、圧力解放装置（ラプチャーディスク）の耐熱や耐食及び気密性への要求が特に高いインターモーダル輸送タンクコンテナーを保護します。安全弁（例：Fort Vale社製バルブ）の下側で追加使用され、製品によって起こる腐食から安全弁を保護し、安全弁の気密性を確実にします。 ラプチャーディスクの運転圧力比は最低破裂圧力の80％*で、フランジ間に直接取付可能で、破片飛散の無い設計で星型に開口します。真空と過圧の用途に完全対応し、液体やガス状の媒体に使用可能です。 CBS型設計は最高レベルの気密性を持ち、出側ガスケットの下側にある保護リングで取り付けられます。耐食性を高めるために、必要に応じて、入側のガスケットの上にライニングを追加で入れることも可能です。 *特殊用途では異なる場合があります

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過剰圧力・真空から製薬、食品、化学業界の低圧設計タンク等を保護。限りなく低い圧力幅に対応し、標準運転圧力比は最低破裂圧力９５％！

圧力・真空リリーフバルブELEVENTは、低圧設計のタンクや容器を過剰圧力及び真空から保護し、 タンクや容器内の圧力を一定レベルに制御しながら保ちます。 ELEVENTは、ガスやその他汚染物の漏れを防ぐだけでなく、 爆発に繋がる物質の発生を抑えながら、装置への空気侵入の潜在的な危険性を排除します。 標準運転圧力比は最低破裂圧力の95％です。 ELEVENTは石油・ガス産業、食品加工、化学・医薬分野、発電所技術などで使用されています。 最適化された「エアクッション」気密原理により、スムーズなバルブストロークと最高の気密性が実現し、 摩耗やバルブのチャタリングを防止します。メタルハウジングは、深絞り加工の施されたステンレス鋼製です。 ▶ご使用のメリット ▸極めて低い圧力幅（±2 mbarg）に対応し、小型サイズで過剰圧力・真空保護が可能 ▸高信頼性の気密性 ▸後からの設定圧力変更も可能 ▸耐食性に優れたE-CTFE及びPFAコーティングにより、腐食性雰囲気の用途に好適 ※詳細は資料をダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせください。

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Q-Rohrがあれば、お客様の生産工場に最適なレイアウトを使用しながら、可能な限り最高の爆発安全の保証を提供します。

安全性と作業効率は両立します。Q-Rohrは、火炎や粉じんのない爆発放散を密閉屋内で可能にします。屋外への放散のための複雑なダクト及びそれに伴う生産設備の配置変更は必要ありません。Q-Rohrがあれば、お客様の生産工場に最適なレイアウトを使用しながら、可能な限り最高の爆発安全の保証を提供します。さらに、Q-Rohrはランニングコストの面でも非常に優れています。ベントダクトをなくすことで、設置費用だけでなく、保守・メンテナンス費用も節約できます。 ▶用途 Q-Rohrは、粉じんやガス爆発の危険性がある屋内装置に最適です。幅広い柔軟な設置オプションを提供するので、多くの新しいプラントには直接Q-Rohrが装備されています。改造工事も問題なく可能です。Q-Rohrはフィルター、乾燥機、サイクロンの保護に使用でき、ガス、ハイブリッド混合物、金属粉塵、溶融粉じん、繊維などにも使用できます。 ▶メカニズム 最高1,500℃に達する火炎ガスは、REMBEが開発した特殊なステンレス製メッシュフィルターインレットの中で非常に効率的に冷却されます。これにより排出されるガスの量が減少し、爆発を鎮めることができます。

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ガス爆発に対する信頼性の高い保護で、壁に開口部を設けるなどのコストのかかる改造を行わなくても、フレームレス放散口を可能にします

★ ガス爆発に対する信頼性の高い保護 排出物を出さず、キャッチバスケットのような複雑な追加設備なしでガス爆発を緩和する経済的なソリューションをお探しですか？ それこそがQ-Rohr Gが提供できるものです。迅速据付と最小限の寸法で、システム、周辺機器、環境をガス爆発の影響から適切に保護することができます。 爆発が起きてもすぐに生産を再開することができます。爆発ベントを交換するだけです。一方、Q-Rohr自体は、3回の爆発後に改修するだけで済みます。 ▶ メカニズム 1,500℃にも達する火炎ガスは、REMBEが開発した特殊なステンレスメッシュフィルターの入口で非常に効率的に冷却されます。これにより、排出されるガス量が減少し、爆発を鎮めることができます。

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低～中真空や圧力変動に強い爆発放散口

ドーム型の単層爆発放散口EDP型は、中真空や過圧（爆発放散口開放時の最小圧力(Pstat)の70%まで）、そして若干の圧力変動のプロセスでの使用に適しています。主に空気充填装置、フィルター、サイクロン、振動が強く作動する容器に適しています。標準破裂圧力は0.1bar(22 °C)です。 【メカニズム】 圧力が上がると、爆発放散口は所定の破裂箇所が、規定の圧力で破裂し、容器・装置内の圧力・火炎を外部へ放散します。

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真空、または圧力ゼロ～低圧向けの爆発放散口

【用途】 EGV型は、スプレードライヤー、エレベーター、チェーンコンベアー、軽振動スクリーン、機械充填式サイロ、サイクロン等、幅広い用途での使用に適しています。非加圧プロセスと、低真空または過圧（静的破裂圧力の50％まで）プロセスの両方に対応可能で、あらゆる分野において使用可能です。標準破裂圧力は22℃（71.6℉）で0.1barです。 【ご使用のメリット】 ★ 破裂面重量が軽いため、フルボア開放で大容量の放散が可能です ★ 安定性が高く、高速で破裂する、バイオニックを取り入れた構造です ★ 円筒状の容器・装置であっても、爆発放散口を直接取付可能で、粉体溜りや細菌発生から保護します。取付に複雑な合フランジは不要です ★各種形状のEGV型を提供しているので、プロセスに完璧に適応します ★ ラプチャーディスク機能が締付けトルクに影響を受けにくい設計のため、取付が迅速容易で、取付フレーム追加不要です ★ 取付フレームやガスケット組込型の爆発放散口のため、圧倒的な省スペースが実現可能です ★ 独自検査を行い、密閉構造を保証します

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真空や低圧のサニタリー用途向けの爆発放散口

【用途】 EGV HYP型は、食品や医薬品業界のサニタリー用途需要のために特別に開発されました。スプレードライヤー、フィルター、流動床乾燥機など要求の厳しいプラントで頻繁に使用されています。EHEDG (欧州衛生工学設計グループ）認証試験の認証を取得しています。 特性：特許取得の、傾斜形状の密閉システムは爆発放散の取付箇所に同一平面になるため、公差汚染を予防します。 【ご使用のメリット】 ★ サニタリー設計が継続的な高品質維持を保証します ★ 製品交換時の公差汚染から保護します ★ CIP（定置）洗浄が可能です ★ バイオニックを取り入れた構造のおかげで、圧力変動による極端な温度変化や歪みの下でも長寿命です ★ 排出路でノイズ軽減（ノッキングなどの）が可能です

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[講　師] EYストラテジー・アンド・コンサルティング株式会社 トランザクション・アンド・コーポレートファイナンス M&Aアドバイザリー ディレクター 斉藤 直毅 氏 [重点講義内容] 近年、特に再生可能エネルギー分野に関係する実務担当者から大きな注目を集めている系統用蓄電池ビジネスですが、さらなる投資拡大に向けては、対処すべき課題が複数残されているのも事実です。 本講演では、投資拡大の成否に影響を与える要素となり得る、ファイナンス環境、収益獲得のために活用する各種市場及び多様化するビジネススキームの概観について説明するとともに、それぞれのテーマについて、現状の課題、その解決あるいは改善に向けた、各市場参加者の試みや今後の見通しについて紹介します。 [講演項目] １．系統用蓄電池を取り巻くビジネスの概観（これまでの推移等） ２．多様化するビジネススキーム ３．さらなる投資拡大に向けて現状の課題となっている事項（ファイナンス手法等） ４．課題解決に向けた各種取組み ５．質疑応答／名刺交換

[重点講義内容] 一．蓄電池産業の現状と今後の方向性 経済産業省 商務情報政策局 電池産業課 係長 池田 拓矢 氏 １．蓄電池の重要性・市場動向 ２．蓄電池のサプライチェーン ３．海外における政府・産業界の動向 ４．蓄電池産業戦略と現状と方向性 ５．名刺交換 二．蓄電池の資源循環プロセスの現状と課題 早稲田大学理工学術院 創造理工学部 環境資源工学科 教授 東京大学大学院 工学系研究科 システム創成学専攻 教授 所 千晴 氏 １．資源循環とカーボンニュートラル ２．蓄電池のサステナビリティ ３．資源循環のための分離濃縮技術の概要 ４．リチウムイオン電池の資源循環プロセスの概要 ５．ダイレクトリサイクルへの取り組み ６．質疑応答／名刺交換

[講　師] 東北電力株式会社 事業創出部門 アドバイザー 大阪大学フォーサイト株式会社 取締役 出馬 弘昭 氏 [重点講義内容] 再生可能エネルギー（太陽光発電、風力発電）は不安定なため、SDES（短期エネルギー貯蔵）が必要です。主なSDESはリチウムイオン電池で数時間のエネルギー貯蔵が可能ですが、将来的に再生可能エネルギー比率が50％程度になると、LDES（長期エネルギー貯蔵）が必要になります。LDESは10時間から数ヶ月のエネルギー貯蔵が可能です。LDESの技術分類は電気化学・機械・熱・化学方式があります。 本講演ではLDESの各方式の特徴、海外の有望なスタートアップと社会実装の進展など、新たなビジネスチャンスのヒントとなるトレンドを解説します。 [講演項目] １．LDESが必要となる背景 ２．4つの技術方式の特徴 ３．海外の有望なLDESスタートアップと社会実装 　（１）電気化学方式 　（２）機械式 　（３）熱方式 　（４）化学方式 ４．海外と日本の比較 ５．質疑応答／名刺交換

[講　師] 米国 VentureClef社 代表／アナリスト 宮本 和明 氏 [重点講義内容] AI開発はシンギュラリティ圏内に足を踏み入れ、技術が幾何級数的に進化している。 OpenAIはAGI(人間の知能に匹敵するAI)をリリースする。トランプ大統領はAIイノベーションを後押しし、全米でギガワットクラスのAIデータセンタの建設ラッシュが始まった。Teslaは半導体製造に参入しAIプロセッサを自社生産し、これをロボットとクルマに搭載する。チップからAIまでコア技術を垂直統合する。トランプ政権は「国産AI」を開発し、これを同盟国に輸出し、世界市場を制覇するイニシアティブを起動した。 AIムーンショットプロジェクトが米国の産業と経済に計り知れない影響をもたらす。この余波は日本を含めグローバル社会に普及する。日本企業は米国のAIメガトレンドを理解し、この波に備えることが求められる。 [講演項目] ＜１＞インテリジェンス ＜２＞インフラストラクチャ ＜３＞ハードウェア ＜４＞エコノミー

東ホール：６ ブース番号【E26-40】 弊社は、基板設計・開発から実装まで自社一貫対応しております。 筐体設計やIoTクラウドシステムの構築にも対応可能です。 また、すべての基板に防湿処理を行っており、農業現場など要件が厳しい環境下でも、安心してご利用いただける品質を確保しています。 会場では、実際の基板やクラウド画面をご覧いただきながら、弊社の技術や強みをご紹介いたします。 みなさまのご来場を心よりお待ちしております。