GaN製造プロセスの排ガス処理を目的とした除害装置です。
本装置は主にGaN製造プロセスの排ガス処理を目的とした除害装置です。 常温乾式除害と触媒分解式除害を効率よく組み合わせ、メンテナンス性向上、 ランニングコスト及び環境負荷の低減を可能に致しました。 【特長】 ・本装置はNH3を触媒分解により窒素と水素に分解、完全無害化します。 ・MOを含むGaN製造プロセス排ガス中の有毒ガスを効率的かつ安全に除害します。 ・酸化法によるNH3除害などで問題となるNOxの発生は全くありません。 ・火炎式(燃焼式)でない為、プロパン供給設備や排水設備は必要ありません。 (但し、A20分解筒は水冷式を採用しております。) ・除害後のガス中は除害対象ガス濃度ACGIH/TLV-TWA値以下を保証します。 ・吸着再生型は後処理筒の除害剤交換の必要がなく、ランニングコストの低減ができます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
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