2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析。
歪 Si デバイスに用いられる組成比勾配を持つ Si(1-x)Gex膜の深さ方向に 対するGeの濃度分布を正確に定量するのに SIMS(2 次イオン質量分析法)が 用いられます。 SIMS で Si(1-x)Gex 膜を分析する際に 2 点解決しなければならない問題があり、 1点目はSi に対する Ge の2次イオン強度が組成比の変化に伴い大きく変化 するので、組成比毎の相対感度因子を決定する必要があります。 もう一点は、Si と Ge の組成比が変化する事により分析点毎のスパッタリング レートが変化するので、組成比とスパッタリングレートとの関係を求める 必要があります。 この2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析し、RSF と スパッタリングレートが決定しました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
この製品へのお問い合わせ
基本情報
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格情報
****** お気軽にお問い合わせください
納期
※お気軽にお問い合わせください
用途／実績例
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
企業情報
イオンテクノセンターは「イオン注入」「物理分析」および研究開発におけるコンサルティングや技術開発サポートなどを行うプロフェッショナル集団です。 最先端の技術と設備を備えた時代の求める創造的ラボラトリーとして企業や大学研究者の方々の良きパートナーをめざしています。
