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フォトプロセス解析露光装置 UVESシリーズ

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最終更新日:2022年08月31日

リソテックジャパン株式会社
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最大25箇所、露光条件を変えてオープン・フレーム露光が可能。

フォトプロセス解析露光装置 UVESシリーズはフォトレジストの研究開発用露光ツールです。ステップ露光することで最大25箇所、露光条件を変えてオープン・フレーム露光が可能です。露光されたサンプルをレジスト現像アナライザを用いて現像解析することにより、フォトレジストの材料開発やプロセス開発を加速します。さらに、オプションの脱ガス捕集ユニットを用いることにより、露光中のレジストからのアウトガスの成分分析が可能となります。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

    分光分析装置その他プロセス制御
UVES-2000.jpg

フォトプロセス解析露光装置 UVESシリーズ

UVES-2000.jpg
UVES-2000.jpg
  • 関連リンク - https://www.ltj.co.jp/resist.php?eid=00002

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基本情報

【主な特徴】 ○g/h/i/248mm及びブロード光対応 ○露光エリア□10mm/25ショット         □5mm/100ショット ○レジスト透過率測定機能搭載 ○アウトガス捕集、自動搬送 【その他の特徴】 ○UVES-2000(g/h/i/248nmおよびブロード光対応解析露光装置) →高圧水銀ランプを搭載し、フィルタにより436、405、365、248nmの光を取り出し、露光することが可能です。 ○UVES-2500(g/h/i/248nmおよびブロード光対応レジスト感度評価露光装置) →UVES-2000にローダーアンローダー、ロボット搬送機能を付けた自動機。 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

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●詳しくはカタログをご覧頂くか、お問い合わせください。

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リソテックジャパンは、創設以来リソグラフィのスペシャリストとして、レジスト露光/現像解析装置、レジストコータ/デベロッパ、リソグラフィシミュレータに加え、最先端リソグラフィプロセス向けに露光/現像材料評価等もご提供しております。 特にレジスト処理装置では、スピンコータ、デベロッパ、ベーク(PEB)装置、膜厚測定等を様々な分野に適応させて、開発用実験装置から生産用全自動システムまでご要望に応じた最適な仕様をご提案しています。 例えば、極薄シリコンウェーハ / 各種化合物半導体 / 石英 / サファイヤ / 圧電基板(SAW)等の各種基板に対しての、ArFレジスト / EBレジスト / 高粘度厚膜レジスト / ポリイミド / 絶縁膜 / ワックス等の塗布装置やアルカリ / 無機/有機等の現像装置をラインナップしています。 その他に、HMDS処理 / 真空減圧ベーク / UV照射 / 高温ベーク処理等各種プロセスユニットを用意しています。

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