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「リソグラフィ・シミュレータ」とは、露光装置の振る舞いと レジスト(感光性を持つ有機材料)の振る舞いを計算するツールです。 実際のプロセスにおけるパラメータを入力することにより、レジストに 像が形成される過程をコンピュータ上に再現し、好適なプロセス条件を 効率的に見つけることが可能。 シミュレータには、実際のリソグラフィ・プロセスと同様さまざまな 設定を行なうことができます。 【光学系 入力】 ■照明形状 ■コヒーレンス・ファクタ ■マスクパターン ■マスクの要素属性 ■開口数・フォーカス ■収差・フレア ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社では、ミニマルファブ技術研究組合に参加し、ミニマルの レジストコータ及びデベロッパの開発を行っています。 ミニマルファブは、世界中で使っていただける柔軟な汎用性と 超低コスト、高信頼性を併せ持ったイノベーショナルなシステムです。 研究開発、試作、少量多品種生産向けに、必要な生産量や目的に 合わせた設備規模や投資額に抑えられます。 【ミニマルコータ/デベロッパ 仕様】 ■基板：0.5インチウェーハ ■基板搬送 ・ミニマルシャトル＆搬送システム PLAD ・独自の局所クリーン化技術によりクリーンルーム不要 ■装置サイズ：294mm(W)×450mm(D)×1,440mm(H) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社の提供する「表面処理技術」について、ご紹介いたします。 疎水化表面処理は、HMDS処理ともいい、ウェーハ表面を疎水性に するための処理で、レジストの現像液が水溶液である場合 (ポジ型レジストを使う場合など)に必須の処理です。 HMDSとはヘキサメチルジシラザンの略称で、これは Siウェーハ表面にメチル基(―CH3)を結合させる物質です。 【特長】 ■ウェーハ表面を疎水性にするための処理 ■ウェーハ表面を疎水化して現像液の浸入を防ぐ ■レジストの密着性を良くする ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
「スピンコータ」は、レジストと呼ばれる感光性樹脂材料を 基板(例えばシリコンウェーハ)に均一に塗布するための装置です。 基本的にクリーンルームと呼ばれる清浄且つ温度と湿度が一定に 保たれた空間に設置されます。 場合によっては塗布環境のみを局所的にコントロールする機構を 備える場合もあります。 【均一に塗布するための要素】 ■塗布環境のコントロール ・塗布する環境の温度、および湿度を一定に保つ ■留意すべき事項 ・ウェーハの温度 ・薬液の温度 ・排気流量 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社の技術「リソグラフィプロセス」について、ご紹介いたします。 ひと言で言うならばフォトリソグラフィは写真印刷技術の一種。 マスクに描かれた電子回路のパターンをレジスト膜に転写するのが フォトリソグラフィの目的です。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【工程(一部)】 ■ウェーハ準備 ■脱水ベーク ■レジスト塗布 ■プリベーク ■露光 ■露光後ベーク(PEB) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
レジスト現像アナライザRDAシリーズは、フォトレジストの現像速度測定、コントラストカーブ、感度の算出などの現像特性解析が迅速に行えます。また、リソグラフィシミュレータに必要なレジストモデリングパラメータを正確に決定することができます。
当製品は、自動モード離型機能搭載の実験用簡易UVナノインプリント装置 です。プレスしながらUV照射を行ないます。 モールドサイズは、25mm～40mmで、UV照度は0.5mW/cm2になっています。 また、オプションにてHP機能・脱気ユニットを選択頂けます。 当製品以外にも、用途によって選んでいただけるようラインアップも 多数ご用意しております。 【特長】 ■自動モード離型機能搭載 ■低コストで高解像性 ■プレス圧10MPa ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当シリーズは、研究開発用途から生産用途まで、半導体製造プロセスに 関わるあらゆる分野に適応可能なレジスト塗布・現像・ベーク装置です。 自由度の高い設計になっていて、研究開発及び量産仕様に最適です。 また、塗布ユニット/現像ユニットを搭載し、2”/8”ウェーハの 簡易切換えが可能です。 【特長】 ■自由度の高い設計 ■塗布ユニット/現像ユニットを搭載 ■量産仕様に対応可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
リソグラフィ・シミュレータは、数値計算により、露光光学系による結像およびフォトレジストの感光・現像の過程をコンピュータ上に表現し、現像後のフォトレジストの形状を算出します。リソグラフィの研究、開発、そして製造に欠かすことのできないツールとなっています。
露光解析ツール 位相シフト･フォーカス･モニタは±25nm3σ以内の高精度。フォーカス･マトリクスが不要です。既存のオーバーレイ計測器でフォーカス測定ができます。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
脱保護反応解析装置 PAGAシリーズはPEB及び248mm露光によるin-situ反応解析、脱保護反応パラメータ算出機能。FT-IR室内にベークプレートを配置し、加熱し ながら官能基の変化を観察で来ます。また、紫外線(248nm)照射装置も搭載されており、露光中における酸発生のメカニズムなどの解析にも利用できます。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
レジスト解析用EUV露光装置EUVES-7000は、米国Energetiq Technology社製EQ-10 EUV光源を搭載し、波長13.5nmの極端紫外光露光に対応したオープンフレーム露光が行えます。
フォトプロセス解析露光装置 ES-3500LPはVUVES-4500で用いているレーザー光源の代わりに、ウシオ電機社製エキシマランプを搭載した装置。レーザー光源のような、 大がかりなガス供給システムを必要とせず、場所を選ばず設置可能。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
フォトプロセス解析露光装置 UVESシリーズはフォトレジストの研究開発用露光ツールです。ステップ露光することで最大25箇所、露光条件を変えてオープン・フレーム露光が可能です。露光されたサンプルをレジスト現像アナライザを用いて現像解析することにより、フォトレジストの材料開発やプロセス開発を加速します。さらに、オプションの脱ガス捕集ユニットを用いることにより、露光中のレジストからのアウトガスの成分分析が可能となります。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
自動レジスト膜厚測定装置 KV-300/KF-10は従来安定した膜厚測定が困難とされていた超厚膜レジストを非接触で高精度な測定ができます。標準搭載の自動マッピング機能は、高精度自動ステージにより基板の面内膜厚分布をスピーディに表示します。KV-300は、自動R-θステージ採用により、300mm基板に対応しながらもフットプリントを最小限に抑えた設計になっています。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
マニュアル・ベーク・クーリングLWBシリーズは自動レジスト塗布・現像ベーク装置、LITHOTRACシリーズに搭載されている高精度ベークプレート、高精度クーリングプレートを採用したマニュアルのベーク・クーリング装置です。上蓋内側からプロセス・ガスが基板上に均一にパージされ、ベーク中の基板をコンタミネーションから守ります。また、均一排気によりベークの際に発生するアウトガスをクリンルームに放出しない構造となっています。基板サイズは最大300mmΦまで対応し、不定形基板にも対応可能な自由度の高い、高性能装置です。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
リソスピンカップシリーズは、マニュアルでありながら自動塗布/現像装置と同等のスピンユニットを採用しているため、オートディスペンサ、各種リンス、廃液自動回収、カップ排気等に標準で対応しています。簡単かつ安全に高精度なレジスト処理が行えます。 また、プライマディスペンサ、薬液温調、ファンフィルタユニット、温度/湿度コントローラなど様々なオプションをご用意しており、高度な塗布処理/現像処理が行えます。 リソテックジャパンでは、基本的にお客様が使用される塗布薬液（レジスト、ポリイミド、絶縁膜等）やウェーハサイズおよび用途に合わせて設計・製造を行い、洗練された装置のご提供を行っております。
自動レジスト塗布・現像・ベーク装置LITHOTRACシリーズは弊社独自に、研究開発用途から量産用途まで、ウエーハ製造プロセスのあらゆる部門に適応可能な装置開発を進めてきたレジスト塗布・現像・ベーク装置です。お客様のご要望に適応した自由度の高い設計に努め、もはや仕様のカスタマイズは特別注文ではないという設計思想が、多くのお客様からご好評をいただいております。詳しくはお問い合わせください。
＜主なレジスト解析露光装置ラインナップ＞ ■UVES-2000 g線/h線/i線/248nmおよびブロード光対応解析露光装置） ■VUVES-4700i 248nm、193nm露光および193nm液浸露光に対応 ■EUVES-7000 EUV光源を搭載し、13.5nmオープンフレーム露光が可能
