★シリコンとは異なる耐薬品に優れたSICにマッチする洗浄剤、研磨剤はどう開発すべきか? その方向性が本セミナーでよくわかる
講 師 第1部 同志社大学 理工学部機能分子・生命化学科 教授 田坂 明政 氏 第2部 日本エクシード株式会社 常務取締役 森澤 祐二 氏 対 象 SiC、加工・材料に関心のある研究者・担当者など 会 場 川崎市教育文化会館 第2学習室【神奈川・川崎市】 JRもしくは京急線 川崎駅 下車 徒歩12分 日 時 平成23年8月25日(木) 13:30-16:40 定 員 30名 ※お申込みが殺到する恐れがあります、お早めにお申し込みください。 聴講料 【早期割引価格】1社2名まで46,200円(税込、テキスト費用を含む) ※但し8月11日までにお申込いただいたTech-Zone会員に限る。会員登録は無料 ※8月11日を過ぎると【定価】1社2名まで49,350円(税込、テキスト費用を含む) となります ◆早期割引にてお申込する際は人数登録で“1名(早割)”または”2名(早割)”をご選択ください ◆早期割引価格からのポイント割引は適用外の価格となります。ポイント割引サービスをご利用される際は通常価格からの申込みでのみ適用されます ◆同一法人より3名でお申込みの場合、69,300円
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基本情報
【講演要旨】 最近、SiCが安定的に大口径化・量産化出来てきたことにより、次の加工プロセスが注目されている。現在、コスト面からエッチングガスとしてSF6が候補になっているが。本講演では、NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマ中でのSiC表面の平滑化機構を解明し、ガス圧を低くして平滑化の妨げになるスパイクの生成を抑制し、また、ピラー生成を抑制すべく、NF3/Ar混合ガスプラズマを用いてSiC表面の平滑化に及ぼすArの効果について詳述する。さらに、使用するNF3ガスの基本特性に言及し、使用時の安全対策についても述べる。 【講演主旨】 SiC はSi では不可能な400℃以上の高温動作が可能で省電力でもあるため、自動車、通信、エネルギー分野で急速に使用され始めた。研磨量産ラインでは、3 インチから4 インチウェハが主流となり、結晶製造メーカーでは6 インチの開発も進められている。しかしSiC は硬質であり、酸、アルカリなどの耐薬品性にも優れるため、Si と比較すると多大な加工時間を要する。後半では洗浄方法の違いによる清浄度についても講義する。
価格帯
1万円 ~ 10万円
納期
2・3日
用途／実績例
第１講 SiCウェハ・基板におけるエッチング技術の基礎と平滑性向上 1.三フッ化窒素の基本特性と安全性 2.NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマによる単結晶SiCのエッチング 3.プラズマエッチングによるSiC表面の平滑化機構 4.NF3ガスおよびNF3/Ar混合ガスプラズマによる単結晶SiCのエッチング 第2部 SiC ウェハの精密研磨・洗浄技術のポイント 1.SiC ウェハ加工技術開発の背景(会社履歴紹介含む) 1-1 半導体製品と各種ウェハの研磨技術開発 1-2 EXD の5 つの技術 1-3 半導体ウェハに求められる研磨及び洗浄の役割 2.SiC の研磨技術 2-1 CMP の種類とメカニズム 2-1 SiC のケミカルメカニカルポリシング(CMP)について 2-2 表面の評価・測定 3.SiC 洗浄技術 3-1 半導体ウェハに用いる精密洗浄技術の種類 3-2 各種汚染の要因 3-3 洗浄と乾燥 4.今後の課題 4-1 低コスト化 4-2 環境への配慮など
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弊社は、化学、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品、建材など、幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために、「セミナー企画」に始まった事業領域を「講師派遣」「出版企画」「技術コンサルタント派遣」「動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサルティング」といった様々な事業形態(新事業)に展開することで、ここまで企業を発展させ、新たな市場を開拓してきました。AndTechはこれからも、クライアントの声に耳を傾け、クライアントが望む事業領域・市場に進出して、共に悩み、共に考え、共に道を切り拓く企業として、クライアントに愛される意味を見失わないことをお約束いたします。