半導体プロセス中の対象ウエハの放射率をリアルタイムに測定し補正を行うため、ウエハ膜の種類に依存せず正確な温度測定が実現可能！
半導体プロセス中のウエハ温度のモニタリングは非常に重要なプロセス・パラメータですが、今まで適切な測定方法が確立できていないために、温度以外のパラメータでプロセス状況を推測してきました。 ウエハ放射率にはロット内でばらつきがあるにも関わらず、一般の放射温度計では測定対象物の放射率をユーザーが適当に決めなければならないため、温度誤差が発生し、温度測定自体の信頼性が乏しいことがその理由でした。 弊社取扱のリアルタイム放射率補正型半導体プロセス温度モニターは、今まで無し得なかった対象ウエハの放射率をリアルタイムに測定し補正を行うため、ウエハ膜の種類に依存せず正確な温度測定が実現可能になりました。 また、独自の赤外線高感度測定技術により、低温まで(検出器の感度限界近くまで)測定出来ます。 今まで問題になっていたチャンバー中の迷光に付きましても、さまざまなソリューションをご提供する事ができます。
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基本情報
当温度モニターは、今までに解決できなかった放射率に対する問題とシリコンウエハのプロセス中の測温に対する問題を一挙に解決できる、次世代の非接触半導体プロセス温度モニターです。 ウエハの放射率もリアルタイムにモニタリング。
価格情報
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納期
用途／実績例
PVD装置、CVD装置、RTP装置などの半導体プロセス中のIn-Situウエハ温度モニタリングに最適。
企業情報
赤外線に関することでしたらご相談ください。世界の最先端技術をご紹介いたします。黒体炉、分光器、赤外カメラ、CO2モニタ、ウェハ温度モニタなど赤外線機器から赤外センサ、窓、レンズなど赤外部品まで幅広く取り扱い。測定サービス・機器レンタルもあり。赤外線センサーやフィルター、窓材などの光学部品選定について迷ったら是非ご一報下さい。
