半導体の熱抵抗を正しく測定できていますか？熱シミュレーション技術とコラボレートすることで、解決！
測定用素子として良く利用されるダイオード（PN接合）の特性を理解しないと、 正しく測定できない場合があります。 製品環境でのパッケージ熱抵抗を正しく求めるためには、実デバイスを使った 熱抵抗解析を高精度に評価する技術が必要となります。 局所発熱モデルにおいて実測と熱シミュレーションの整合モデルが作成出来ていれば、 任意発熱時の熱抵抗がシミュレーションで解けます。 弊社では、実測～シミュレーションまでの一環した受託サービスと合わせ、 熱抵抗検査装置を独自設計できる技術を保有しております。 その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
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基本情報
【従来の問題点】 ○チップ全体でなくても、動作エリアを確実に把握できる発熱源を使いたい ○印加電流を押さえ、ジュール熱の影響を受けないよう電力供給を行いたい 【解決策】 ○高耐圧のエリアをクランプさせ低電流・高電圧で発熱させる。 ○AVCCは高耐圧クランプが期待できる。 →10V以上の耐圧が望ましい 【ランプ耐圧を使う場合の測定上の効果】 ○クランプ発熱時、耐圧が温度と共にPositive側にシフトする。 →これにより、該当領域の温度を均一に保つことができる。 ○耐圧の低い部分に電流が流れ、温度を上昇させる。 →温度上昇により耐圧がPositive側にドリフトするので結果的に該当領域全体が 均一耐圧及び均一温度に自動的にコントロールされる。 ●その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
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開発・設計会社として、半導体周辺回路と応用製品の開発・設計・評価 シミュレーション技術により、お客様の開発設計を促進しています。
