小さなオン抵抗！発光ダイオードの基板としても使用されています。
株式会社新陽の主要製品である『SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)』 のご紹介です。 シリコンに比べてバンドギャップが約3倍（3.26eV）広く、熱伝導率も 3倍以上（4.9W/cm･k）、絶縁破壊電圧は約10倍（2.8MV/cm）という特性を持ち、 Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。 パワーMOSFET,IGBT，ショットキー・バリア・ダイオード（SBD）等に好適。 半導体の他、発光ダイオード（LED)の基板としても使用されております。 【特長（SiCパワー半導体素子）】 ■小さなオン抵抗 ■短いスイッチング時間 ■高温動作 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【物理的特性】 ■ポリタイプ：4H-SiC ■結晶構造：六角 ■バンドギャップ：～3.2eV ■熱伝導率：～4.9W/cm・K ■電子モビリティ：～1140cm2/v・s ■格子定数：a～3.073Å、c～10.053Å ■モース硬度：～9.15 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格情報
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納期
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企業情報
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