OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です
OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です。 ・配線やビア内のボイド・析出物の位置を特定可能。 ・コンタクトの抵抗異常を特定可能。 ・配線ショート箇所を特定可能。 ・DC電流経路を可視化。 ・ゲート酸化膜微小リークを捉えることが可能。
この製品へのお問い合わせ
基本情報
１.レーザを被観察領域に走査する。レーザ照射された配線部位は温度が上昇し、抵抗が変化する。 ２.レーザの走査に同期して電流値（または電圧値）を読み取る。 ３.ボイド・析出物等の欠陥は配線正常部とTCRが異なるため、抵抗変化量も異なり特異な電流値（または電圧値）として検出される。
価格情報
-
納期
用途／実績例
・Siデバイス（トランジスタ・MOSFET・IGBT・CMOSセンサ） ・SiCパワーデバイス（ショットキーバリアダイオード・MOSFETなど） ・GaN発光素子・GaNデバイス（LD・LED・HEMTなど） ・MEMS（圧力センサ・加速度センサ）
詳細情報
-
まずはご相談ください ★分析プランのご提案から行います★ 御社へ伺ってのお打ち合わせも、もちろん可能。 分析結果のご説明も丁寧に行い、疑問を残しません。 まずは03-3749-2525またはinfo@mst.or.jpまでご連絡ください！
-
訪問セミナー実施します ★お客様のニーズに合わせた技術者訪問のセミナーを無料で承っております★ お客様のご要望に応じて、分析技術のご紹介や分析データのご説明をいたします。 ◆セミナー内容例 ・MSTの分析手法を広く解説 ・特定の分析手法を原理からじっくり、詳しく解説 ・お客様がご依頼の分析データを解説 03-3749-2525またはinfo@mst.or.jpまでご連絡ください！
企業情報
MSTは、高度な受託分析サービスを提供する財団法人です。 最先端の「物理的解析」と、AI技術を活用した「高度なデータ解析」を融合させることで、従来の分析の枠を超えた多角的な視点を提供し、お客様の高度なニーズに迅速かつ的確にお応えします。 技術知識を兼ね備えた専門スタッフが、お客様の課題に寄り添い、最適な分析プランをオーダーメイドでご提案いたします。オンラインでの打ち合わせはもちろん、貴社への訪問による対面でのご相談も承っております。 また、ISO9001（品質）およびISO27001（情報セキュリティ）を取得しており、機密性の高いプロジェクトにおいても、確かな技術力と厳格な管理体制のもと、安心してお任せいただける環境を整えています。製品開発の加速から不良原因の究明、特許調査まで、研究開発のあらゆるフェーズにおける課題を、確かな分析技術で解決へと導きます。
