GaN系デバイス耐圧評価、及び、表面発熱分布評価のご提案
GaN系のLEDと高周波デバイスについて、故障解析に有効な2つの手法の測定事例をご紹介します。 LED素子でロックイン発熱解析を行うことで、発光に伴う発熱の有無とそのタイミングを可視化することができるため、特異的な挙動・特性を示す箇所があれば特定することが可能です。 高耐圧・高周波デバイスでエミッション顕微鏡観察を行うことで、ブレークダウンに伴う発光をとらえ、耐圧に問題のある箇所を特定することが可能です。
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企業情報
MSTは、高度な受託分析サービスを提供する財団法人です。 最先端の「物理的解析」と、AI技術を活用した「高度なデータ解析」を融合させることで、従来の分析の枠を超えた多角的な視点を提供し、お客様の高度なニーズに迅速かつ的確にお応えします。 技術知識を兼ね備えた専門スタッフが、お客様の課題に寄り添い、最適な分析プランをオーダーメイドでご提案いたします。オンラインでの打ち合わせはもちろん、貴社への訪問による対面でのご相談も承っております。 また、ISO9001（品質）およびISO27001（情報セキュリティ）を取得しており、機密性の高いプロジェクトにおいても、確かな技術力と厳格な管理体制のもと、安心してお任せいただける環境を整えています。製品開発の加速から不良原因の究明、特許調査まで、研究開発のあらゆるフェーズにおける課題を、確かな分析技術で解決へと導きます。
