高硬度、耐熱、半導体特性、化学蒸着法炭化ケイ素 CVD-SiC
『CVD-SiCコーティング』は、高硬度、耐熱性、耐磨耗性に優れた 半導体特性を持つ薄膜です。 当社独自のCVD法により半導体装置部品等にも適応可能なグレードを保ち、 高純度のSiC膜を最大2mm以上析出してバルクのSiCを作成しております。 【特長】 ■高硬度 ■優れた耐熱性 ■優れた耐磨耗性 ■半導体特性を有する ■半導体装置部品等にも適応可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【仕様】 ■色調：灰色 ■硬度：2,800〜3,000HV ■膜厚：500μm〜5mm ■酸化温度：500℃ ■処理温度：1200〜1500℃ ■結晶配向：標準 ■有効径 ・小型：200L×200W×80T ・大型：φ500L×600L ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■高温ガラスレンズ用金型 ■半導体関連部品 など ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
株式会社インターフェイスは、PVD、CVDコーティングのエキスパート集団です。最新表面処理技術やその応用を国内外に提供しております。金属・セラミックス等への表面処理受託加工やCVD、PVD装置設計、製造、開発、真空装置の設計、ガス供給装置の設計などを行っております。