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半導体プロセス&デバイスシミュレータ「NovaTCAD」

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最終更新日:2020年05月12日

クロスライトソフトウェアインク日本支社
クロスライトソフトウェアインク日本支社
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2D/3Dのプロセスシミュレータとデバイスシミュレータを統合したクロスライト社のTCAD。無料試用版あり!

<主な特徴> ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア「APSYS」 ■Stanford大学開発のSUPREMをクロスライトが独自に機能拡張した「CSUPREM」 ■マスク編集ツール(GDSII可) ■デバイス断面構造の入力・編集ツール ■シミュレーション結果をグラフィカルに表示 <デバイスシミュレーションのための多様な物理モデルや機能> ■電流-電圧(I-V)特性 ■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布 ■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布 ■熱輸送モデルで用いられる格子温度の2次元分布 ■様々なバイアス条件のもとでのバンド図 ■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果 ■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド ■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の2次元分布 ■光検出器などの光デバイスの2次元光学場分布 ■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性 ■その他機能や詳細については、カタログをダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。 ■試用版は「試用版お申込フォーム」からお申込みください。

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半導体プロセス&デバイスシミュレータ「NovaTCAD」

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基本情報

<インターフェイス> ■プロセスシミュレーションとデバイスシミュレーションがGUIを通して制御可能(マスクデータの編集機能、物理モデルやバイアス設定、結果の解析・表示機能、自動処理など) <材料マクロ (APSYS)> ■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.) ■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.) ■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

価格帯

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用途/実績例

<適用デバイス・モデル> ■LDMOS ■LIGBT ■シリコン(ダイオード、JFET、NPNバイポーラ、TFT) ■CCD、CIS ■FDTD(2D/3D Lense、光検出器) ■HBT ■HEMT、FET ■LED(GaN MQW, QDot, OLED, RCLED.) ■デバイスと回路の混在シミュレーション ■NANDフラッシュメモリー ■NEGF(FINFET, HEMT, nanowire, NMOS) ■QWIP ■MESFET ■RTD ■ショットキートンネリング ■フォトニック結晶 ■光検出器 ■太陽電池 ■トンネル接合 ■TypeII型量子井戸光検出器 など <解析・プロット> ■物理量の空間分布 (ポテンシャル、キャリア密度、電流分布、バンド図、光モード分布、温度分布、多重量子井戸の波動関数、etc.) ■バイアス依存性 (L-I特性、I-V特性、電流と利得、電流と屈折率変化、etc.) ■スペクトル (モード利得、自然放出、屈折率変化、etc.) ■交流解析 (周波数特性、過渡解析、etc.)

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クロスライトソフトウェアインク(前Beamtek Software Inc.)は1992年にカナダ国家科学研究委員会から独立しカナダに本社を設立したインターナショナル企業です。現在、バンクーバーに本社を構え、1997年上海拠点、2001年9月千葉市に日本支社を設立しました。 当社は、半導体レーザーデバイス、発光、受光素子、MEMSおよびMOCVDプロセス等の物性を解析するTCADソフトウェアの開発元として、常に最先端の技術で半導体オプトエレクトロニクス、電子デバイス・プロセス技術の先端物理モデルを提供するリーダーカンパニーです。 当社主力製品の3次元半導体レーザーダイオードシュミレーターPICS3Dは1998年、業界誌 Laser Focus World「レーザーフォーカスワールド」より Commercial Technology Achievement Award 「最優秀製品技術賞」を受賞しました。

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