高真空領域で金属単結晶膜を作製することができる抵抗加熱式の高真空蒸着装置
抵抗加熱式の蒸着装置となっており、高真空領域で単結晶膜を作製することができます。 基板上に平滑な金の(111)面を形成することができる為、原子間力顕微鏡(AFM)、走査型プローブ顕微鏡(SPM)での測定用基板、また自己組織化単分子膜(SAM)の成長基板の作製に適しています。 ◆詳しくは 製品カタログ(PDFダウンロード)をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 関連リンクからも製品カタログをご覧いただけます。
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基本情報
・ウエハサイズ 最大4インチ×1 (専用ホルダ) ・バッチ式 ・UHV仕様 (6.65×10-6 Pa以下) ・抵抗加熱蒸着、高温加熱
価格帯
納期
用途/実績例
【導入分野】研究開発、試作品開発、少量生産 基板上に平滑な金の(111)面を形成することができる為、原子間力顕微鏡(AFM)、走査型プローブ顕微鏡(SPM)での測定用基板、また自己組織化単分子膜(SAM)の成長基板の作製に適しています。 ◆詳しくは 製品カタログ(PDFダウンロード)をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 関連リンクからも製品カタログをご覧いただけます。
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