高効率・高耐圧GaNスイッチ 研究開発にかかる労力、時間を削減
Infineon Technologies社の当製品は、高効率な市販のシングルチャネル絶縁型窒化ガリウム(GaN) EiceDRIVER ICを使用して、GaN HEMTを駆動させます。 CoolGaN エンハンスモードHEMTは、インフィニオンのEiceDRIVER ICの 1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663Hを使用することで、好適な駆動を 実現できます。 【特長】 ■低抵抗出力ソース: 0.85Ω、シンク: 0.35Ω <シングルチャネル・ガルバニック絶縁> ■機能絶縁：VIO= 1500VPC ・VIOWM = 510Vrms (16-pin DSO) ・VIOWM = 460Vrms (LGA 5x5) ■強化絶縁 ・VIOTM = 8000Vpk(VDE 0884-10 未決定) ・VIOWM = 1420 VDC ■最小同相過渡電圧耐性 (CMTI)： 200V/ns ■タイミング ・最小出力パルス幅：18ns ・伝搬遅延精度：13ns ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【その他特長】 ■正・負のゲート駆動電流：高速ターンオン/オフ GaNスイッチスルーレート ■オフの期間、ゲート電圧ゼロを保持 ■ガルバニック絶縁内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■サーバー ■テレコム DC/DC ■データ通信 ■アダプター ■充電器 ■ワイヤレス充電器 ■SMPS ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
当社は、昭和43年に創業し、電子部品の販売をはじめ数々の電子機器の開発を手がけてきました。私たち旭テックは、コスト、品質、マーケティング、販売、流通の効率化をはじめ、発展に向けたあらゆる面での取り組みを続け、決して慢心することなく、勢いを加速し続けていきます。優れた技術力と情報化時代に即応した独創の視点で見つめ、メーカー機能を持つ商社として、社会に貢献する独自商品の提案・開発に挑みオンリーワン企業を目指します。 東京支店：Tel: 03-3835-4881 / Fax: 03-3832-4016
