SiCパワーデバイス搭載で200kHzの駆動が可能！ 多彩な回路方式に使えるHブリッジ回路ブロック
本製品はローム社製トレンチ型SiC「SCT3030AL」を搭載した、実験用のHブリッジ（単相インバータ）回路です。HGCB-4×4-401200は4式のHブリッジ回路が1つの筐体に搭載されており、机上実験に適したコンパクト設計です。系統連系インバータ、Dual Active Bridge、Modular Multi-level Converter(MMC)など様々なアプリケーションの実験システムを構築できます。
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基本情報
● 機能試作・基礎実験などパワーエレクトロニクスのR&D分野での使用に適した機能を持つ実験用ハードウェアです。実験環境の構築を迅速に行うことが可能です。 ● HGCB-4A-401200はSiCパワーデバイス４個、ゲートドライブ回路が搭載されており、基板、ヒートシンク、電圧センサで構成されます。 ● HGCB-4x4A-401200は、HGCB-4A-401200 ４枚、ファン、筐体で構成されます。 ● 各SiCパワーデバイスを駆動するゲート信号および電源を外部から入力します。本製品を使用するためには、別途、電解コンデンサ、24Vおよび5V電源、基板間配線、コントローラなどを準備していただく必要があります。 ● 制御部と主回路部を絶縁した設計となっています。 ● アーム短絡、ゲートドライブ部電圧低下、基板表面温度に対しての保護機能を有しており、ゲートパルスパターンが誤っていた場合にも破壊に至りにくい設計となっています。 ● 回路図などの設計資料が付属しており、お客様が用途に合わせて改造可能です。
価格帯
10万円 ~ 50万円
納期
~ 1週間
※在庫状況、数量により納期が変動しますので、お気軽にお問合せください。
用途／実績例
■用途：機能試作や先行開発など実験設備として ■回路構成例： ・単相インバータ ・昇圧・降圧チョッパ ・MMC（Modular Multi-level Converter） ・DAB（Dual Active Bridge） ・非接触給電 ・インターリーヴ型PFC
詳細情報
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HGCB-4A-401200：基板1枚（画像右側） HGCB-4x4A-401200：基板4枚＋筐体セット（画像左側）
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企業情報
ヘッドスプリング株式会社は、パワーエレクトロニクス分野の開発支援を中心とした各種事業支援を展開しています。特にSiC、GaNなどの次世代パワー半導体活用など「先端技術を極める力」とその先端技術の恩恵を誰もが簡単に受けることを実現する「モジュールコンセプト」、さらにこれらを組み合わせてお客様の新エネルギー製品を事業化する突破力を強みとしています。