過渡熱抵抗測定器は、IGBT / MOS-FET / Diode / BJT 等の過渡熱抵抗を測定する装置です。
BJT過渡熱抵抗測定器は、コレクター・エミッター間に指定の電力を印加し、チップ温度を上昇させ、その前後の微少電流（Im）によるベース・エミッター間電圧の差（ΔVBE）を求める装置です。これにより試料の熱抵抗を推測することができます。 IGBT過渡熱抵抗測定器は、BJT過渡熱抵抗測定器と同様にゲート・エミッター間の電圧差（ΔVGE）を求める測定器です。 P-MOS FET過渡熱抵抗測定器は、BJT過渡熱抵抗測定器と同様にゲート・ソース間の電圧差（ΔVGS）を求める測定器です。 BJT過渡熱抵抗測定器のベース・エミッター間でダイオードのΔVFを測定することができます。
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基本情報
印加電圧2～30/100/600/1200V 通電電流0.1～30/100/200/500/1000Ａ 電力印加幅100,200,500μS 1,2,5,10,20,50,100,200,500mS 1S,2S,30S,DC 測定電流（Im）1～99/199/999mA 測定範囲ΔVBE: ～999/1999mV （ただしVBE MAX: 3V） ΔVGS/VGE: ～999/1999/9990mV （ただしVGS/VGE MAX: 20V） サンプリング点Td 50～990μS ※熱抵抗測定器には電力制限があり、電圧・電流・印加時間により測定できる領域が制限されます。また、その仕様により装置の大きさや重量は大きく変化します。上記仕様は一例でり、設計・製作には詳細なお打ち合わせが必要となります。詳しくはお問い合わせください。
用途／実績例
熱抵抗測定器はデバイスを実際に評価し、前工程にフィードバックして性能向上・信頼性向上を推進するためには必須の測定器です。
企業情報
コペル電子は神奈川県厚木市にあり、ハイブリッドカー（HV）や電気自動車（EV）に用いられる大電力半導体の計測・検査装置を手がけ、自社ブランドで開発・設計・製作を行っている先端技術企業です。 国内では大手電機メーカー・自動車メーカー等を顧客として高い評価をいただいています。 また、0℃の環境を高精度で維持する「ゼロコン」は理科学研究・校正施設のユーザー様より、なくてはならない装置として高い評価をいただいています。